[发明专利]一种双晶体管零电容动态RAM的制备方法

权利要求书

1.一种双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其中的双晶体管为形成在共同衬底上的两个级联MOS晶体管T1和T2，其特征在于，包括前备工序，所述前备工序包括：

在T1和T2各自源漏极间的沟道表面分别形成有薄氧化层；

在薄氧化层上方通过附加样本栅湿回蚀分别形成有T1和T2各自的栅极沟槽，并分别在T1和T2各自的栅极沟槽中形成有高介电层和其上方的金属氧化物介电材料层；

通过T1、T2各自栅极沟槽的开口，通过离子注入分别改变T1、T2所包含的金属氧化物电介材料层靠近源极和漏极的两端的功函数，以使T1沟道区域中靠近源极和漏极的区域在不加栅压情况下反型为与源漏区相同的掺杂类型，T2沟道区域中靠近源极和漏极的区域在不加栅压情况下反型为与源漏区相反的掺杂类型。

2.根据权利要求1所述的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其特征在于，当两个级联MOS晶体管T1和T2全部都是NMOS结构时，所述前备工序包括：

在T1和T2各自源漏极间的沟道表面分别形成有薄氧化层；

在薄氧化层上方通过附加样本栅湿回蚀分别形成有T1和T2各自的栅极沟槽，并分别在T1和T2各自的栅极沟槽中形成有高介电层和其上方的金属氧化物介电材料层；

进行光刻，将T1区域窗口开启，将T2区域窗口关闭，进行角度倾斜、转动180度后进行双向离子注入以使栅靠近源和漏处减小功函数，致使栅下靠近源和漏的沟道区域在不加栅压情况下反型为N型，注入离子为小功函数的离子；

进行光刻，将T2区域窗口开启，将T1区域窗口关闭，进行角度倾斜、转动180度后进行双向离子注入以使栅靠近源和漏处增大功函数，致使源和漏的栅下扩散区域在不加栅压情况下反型为P型，注入离子主要为大功函数的离子。

3.根据权利要求1所述的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其特征在于，当两个级联MOS晶体管T1和T2全部都是PMOS结构时，所述前备工序包括：

在T1和T2各自源漏极间的沟道表面分别形成有薄氧化层；

在薄氧化层上方通过附加样本栅湿回蚀分别形成有T1和T2各自的栅极沟槽，并分别在T1和T2各自的栅极沟槽中形成有高介电层和其上方的金属氧化物介电材料层；

进行光刻，将T1区域窗口开启，将T2区域窗口关闭，进行角度倾斜、转动180度后进行双向离子注入以使栅靠近源和漏处增大功函数，致使栅下靠近源和漏的沟道区域在不加栅压情况下反型为P型，注入离子主要为大功函数的离子；

进行光刻，将T2区域窗口开启，将T1区域窗口关闭，进行角度倾斜、转动180度后进行双向离子注入以使栅靠近源和漏处减小功函数，致使栅下靠近源和漏的沟道区域在不加栅压情况下反型为N型，注入离子主要为小功函数的离子。

4.根据权利要求1或2或3所述的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其特征在于，先在薄氧化层上方通过附加样本栅湿回蚀分别形成T1和T2各自的栅极沟槽，再分别在T1和T2各自的栅极沟槽中形成有高介电层和其上方的金属氧化物介电材料层。

5.根据权利要求1或2或3所述的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其特征在于，高介电层和金属氧化物介电材料层在样本栅制备时先形成，在附加样本栅湿回蚀时不去除。

6.根据权利要求2或3所述的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其特征在于，所述两次调节功函数的工序可以互换。

7.根据权利要求2或3所述的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其特征在于，所述小功函数的离子包括以下列元素为基的一种离子或多种离子的组合：Li、Mg、Ca、Sc、Mn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、In、Cs、Ba、La、Nd、Pr、Pm、Gd、Dy、Ho、Tb、Yb、Tm、Er、Lu、Hf、Ta、Pb、Fr、Ra、Ac、Th。

8.根据权利要求2或3所述的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其特征在于，所述大功函数的离子包括以下列元素为基的一种离子或多种离子的组合：B、C、Al、Ti、Cr、Ni、Ge、As、Se、Rh、Pd、Te、Re、Pt、Au、Hg、Po。