[发明专利]电子装置壳体及其制作方法无效
| 申请号: | 201110162367.X | 申请日: | 2011-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN102833966A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
| 发明(设计)人: | 吴照毅;阎勇;樊永发;张薛丽 | 申请(专利权)人: | 深圳富泰宏精密工业有限公司 |
| 主分类号: | H05K5/00 | 分类号: | H05K5/00;H05K5/02;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/40 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 装置 壳体 及其 制作方法 | ||
1.一种电子装置壳体,其包括一基体层、一天线层及一装饰层,其特征在于:该基体层为一不可电镀塑料层,所述天线层为一电镀层,其由在基体层的外表面上形成有可电镀的塑料层,并对该可电镀的塑料层进行电镀而形成,该装饰层为通过磁控溅射或非导电性真空电镀形成在所述天线层上的非导电膜层。
2.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述二次成型以注塑成型的方式制成,注塑成型二次成型的材质为可电镀的材质。
3.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述不可电镀塑料可选自为聚对苯二甲酸乙二酯及聚甲基丙烯酸甲酯中的任一种。
4.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述可电镀塑料可为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚丙烯PP、聚碳酸酯及聚氨酯。
5.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述天线层包括依次形成于所述二次成型体预选表面的电镀铜层、电镀镍层及电镀金层。
6.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:该装饰层为一非导电的氮化硅层。
7.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:该电子装置壳体至少包括一导电件,所述导电件一端与天线层电连接,另一端穿过基体层。
8.一种电子装置壳体的制作方法,其包括如下步骤:
提供一成型模具,该成型模具具有一一次成型型腔及一与该一次成型型腔相连通的二次成型型腔;
向所述一次成型型腔中注塑不可电镀塑料形成电子装置壳体的基体层;
向所述二次成型型腔中注塑可电镀的塑料层质,对该可电镀的塑料层质电镀形成天线层,该天线层形成于基体层外表面;
通过磁控溅射或非导电性真空电镀于天线层上形成装饰层,该装饰层为一非导电膜层,该装饰层与该基体层连接并覆盖所述天线层。
9.如权利要求8所述的电子装置壳体,其特征在于:所述不可电镀塑料可选自为聚对苯二甲酸乙二酯及聚甲基丙烯酸甲酯中的任一种。
10.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述可电镀塑料可为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚丙烯、聚碳酸酯及聚氨酯。
11.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:利用磁控溅射来形成一装饰层工艺参数如下:氩气流量为100~200sccm,氮气流量为50~100sccm,设置占空比为30%~50%,于基体层上施加-50~-100V的偏压,并加热镀膜室至100~150℃,开启硅靶材,设置其功率为2~8kw,沉积时间为90~180min,其厚度为0.5~1.0μm,形成一氮化硅层。
12.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述非导电性真空电镀中的材料可为锡(Sn)、铝(Al) 、铜(Cu)、铬(Cr)、钛(Ti)等金属。
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