[发明专利]堆栈式封装结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种封装结构的制造方法，详言之，关于一种堆栈式封装结构的制造方法。

背景技术

已知具有数个导通柱(Conductive Via)结构的晶圆，其主动面黏附一载体，以利于完成该晶圆的背面结构。再将该晶圆的背面黏附至一框架的一切割胶带，以移除该载体；接着，再将该晶圆的该主动面转贴至另一框架的一切割胶带，以切割该晶圆为数个第一晶粒。之后，将至少一第一晶粒设置于一基板，再堆栈第二晶粒至该第一晶粒上，以形成复合晶粒。最后封装至少一复合晶粒及该基板，以形成堆栈式封装结构。

已知堆栈式封装结构的制造方法需要二次转贴至不同的框架，可能造成破片。另外切割晶圆后，再进行晶粒对晶粒的堆栈，使得整体的工艺较为复杂。

因此，有必要提供一种堆栈式封装结构的制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种堆栈式封装结构的制造方法，包括：(a)设置一第一载体于一晶圆的一第一表面，其中该晶圆包括该第一表面、一第二表面及数个导通柱，该第二表面相对于该第一表面；(b)设置一第二载体于该第二表面；(c)移除该第一载体；(d)设置数个晶粒于该第一表面；(e)移除该第二载体；及(f)切割该晶圆，以形成堆栈式封装结构。

利用该第二载体，可进行晶粒至晶圆(chip to wafer)工艺，以缩短工艺时间、简化工艺及提高工艺良率。

附图说明

图1至18显示本发明堆栈式封装结构的制造方法的第一实施例的示意图；及

图19至22显示本发明堆栈式封装结构的制造方法的第二实施例的示意图。

具体实施方式

参考图1至18，显示本发明堆栈式封装结构的制造方法的第一实施例的示意图。参考图1，提供一晶圆21。该晶圆21包括一第一表面211、一第二表面212及数个孔洞214。在本实施例中，该晶圆21为一硅基材，这些孔洞214为盲孔，且开口于该第一表面211。在本实施例中，该第一表面211为一主动面并包含一些主动组件(未绘示)，该第二表面212为一背面。

参考图2，形成一绝缘材料221(例如：聚亚酰胺(Polyimide，PI)、环氧树脂(Epoxy)、苯环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)等非导电性高分子亦或是无机绝缘材料，例如：二氧化硅(silicon dioxide(SiO₂))于这些孔洞214的侧壁上，且定出数个中心槽。之后，填入一导电材料222(例如铜金属)于这些中心槽内及形成一第一保护层(Passivation Layer)26于该第一表面211。该第一保护层26的材质为非导电性高分子材料，例如：聚亚酰胺(Polyimide，PI)、环氧树脂(Epoxy)、苯环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)等，亦或是无机绝缘材料，例如：二氧化硅(silicon dioxide(SiO₂))。接着进行微影工艺，以形成至少一开口，而显露这些导通柱223。该开口的尺寸及位置可由微影工艺中所使用的光罩所定义。再形成一第一金属层27于该第一保护层26上及该开口内，以接触这些导通柱223及该些主动组件(未绘示)。之后，翻转180度。

参考图3，设置一第一载体31于该晶圆21的该第一表面211。在本实施例中，利用一第一黏胶33使该第一载体31黏附于该第一表面211。以研磨及/或蚀刻方式移除部份该第二表面212以薄化该晶圆21，使得这些孔洞214变成数个贯孔213，且这些导电材料222变成数个导通柱(Conductive Via)223。

参考图4，形成一第二保护层(Passivation Layer)23于该第二表面212。该第二保护层23为非导电性高分子材料，例如：聚亚酰胺(Polyimide，PI)、环氧树脂(Epoxy)、苯环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)等，亦或是无机绝缘材料，例如：二氧化硅(silicon dioxide(SiO₂))。在本实施例中，该第二保护层23为一感旋光性高分子材料，例如是苯环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)，且利用旋转涂布(Spin Coating)或喷雾涂布(Spray Coating)方式形成该第二保护层23。

参考图5，进行微影工艺，以形成至少一开口231，而显露这些导通柱223。该开口231的尺寸及位置可由微影工艺中所使用的光罩所定义。