[发明专利]堆栈式封装结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110162255.4 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102244014A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨国宾;萧伟民;洪正辉 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 堆栈 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种堆栈式封装结构的制造方法，包括：
(a)设置一第一载体于一晶圆的一第一表面，其中该晶圆包括该第一表面、一第二表面及数个导通柱，该第二表面相对于该第一表面；
(b)设置一第二载体于该第二表面；
(c)移除该第一载体；
(d)设置数个晶粒于该第一表面；
(e)移除该第二载体；及
(f)切割该晶圆，以形成堆栈式封装结构。
2.如权利要求1的制造方法，其中在该步骤(a)中，利用一第一黏胶使该第一载体黏附于该第一表面；在该步骤(b)中，利用一第二黏胶使该第二载体黏附于该第二表面。
3.如权利要求2的制造方法，其中该第一黏胶为低温分离胶材并具有一第一解胶温度T1℃，该第二黏胶为高温分离胶材，并具有一第二解胶温度T2℃，该第一解胶温度T1℃低于该第二解胶温度T2℃。
4.如权利要求3的制造方法，其中该第一解胶温度T1℃与该第二解胶温度T2℃的关系式为T2≥T1+40℃。
5.如权利要求2的制造方法，其中该第一黏胶的材料与该第二黏胶的材料不同。
6.如权利要求5的制造方法，其中在该步骤(c)中，利用一第一剥离步骤移除该第一载体；在该步骤(e)中，利用一第二剥离步骤移除该第二载体。
7.如权利要求5的制造方法，其中在该步骤(c)中，将该第一载体及该第一黏胶浸入一第一溶剂，以移除该第一载体；在该步骤(e)中，将该第二载体及该第二黏胶浸入一第二溶剂，以移除该第二载体。
8.如权利要求5的制造方法，其中在该步骤(e)中，利用紫外光照射该第二载体，以移除该第二黏胶及该第二载体。
9.如权利要求2的制造方法，其中在该步骤(a)中，另包括一设置一第一隔离膜于该第一载体及该第一黏胶间的步骤，该第一隔离膜的面积小于该第一黏胶的面积。
10.如权利要求9的制造方法，其中在该步骤(b)中，另包括一设置一第二隔离膜于该第二载体及该第二黏胶间的步骤，该第二隔离膜的面积小于该第一隔离膜的面积。
11.如权利要求1的制造方法，其中在该步骤(e)前，另包括一设置该晶圆的该第一表面至一框架的步骤，该框架包括一切割胶带，这些晶粒黏附于该切割胶带；在该步骤(f)中，切割该晶圆后形成数个复合晶粒，设置至少一复合晶粒至一基板，且封装至少一复合晶粒及该基板，以形成堆栈式封装结构。
12.如权利要求1的制造方法，其中在该步骤(d)后，另包括一封装这些晶粒及该第一表面的步骤，利用一封胶包覆这些晶粒及该第一表面；在该步骤(e)后，另包括一设置该封胶至一框架的步骤，该框架包括一切割胶带，该封胶黏附于该切割胶带；在该步骤(f)中，切割该晶圆及该封胶，以形成堆栈式封装结构。
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