[发明专利]电容阵列基板无效
申请号: | 201110162145.8 | 申请日: | 2011-06-16 |
公开(公告)号: | CN102832209A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 邓永佳;林清淳;黄浩然;卢佑宗;蔡竣杰;张岑玮 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及一种基板,尤其涉及一种电容阵列基板。
背景技术
图1是一种现有电容阵列基板的示意图。请参照图1,在现有电容阵列基板100中,排成阵列的电容110是由水平方向的走线120与垂直方向的走线130连接。由于走线120与走线130分别平行于电容阵列基板100的两个侧边,若要在同一侧进行所有的信号传输,则需在电容阵列基板100的侧边布设用于走线120的信号线140。如此一来,就大幅增加了电容阵列基板100的侧边的宽度,不仅增加电容阵列基板100的成本,过长的信号线140也容易导致信号品质下降。
发明内容
本发明提供一种电容阵列基板,具有精简的尺寸。
本发明的电容阵列基板包括一基板、多条第一走线、多条第二走线、多个电容器、多条连接线以及多条信号线。基板具有一第一侧、一第二侧与一第三侧。第一侧连接第二侧。第一侧连接第三侧。第一走线互相平行地配置于基板。各第一走线不垂直也不平行第一侧。第二走线互相平行地配置于基板。电容器配置于基板,位于第一走线与第二走线的交会处,且连接第一走线与第二走线。连接线配置于基板的第二侧与第三侧,每条连接线连接一条第一走线与一条第二走线。信号线配置于基板。每条信号线连接一条第一走线或一条第二走线,并从第一侧传输信号。
在本发明的一实施例中,第一走线垂直第二走线。
在本发明的一实施例中,第一走线与第一侧的夹角为45度。
在本发明的一实施例中,连接线未交会。
在本发明的一实施例中,连接线相交会。
在本发明的一实施例中,第一侧垂直第二侧。
基于上述,在本发明的电容阵列基板中,连接电容器的走线都倾斜于基板的侧边,再搭配连接线,即可缩小布线所需面积。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是一种现有电容阵列基板的示意图。
图2是本发明一实施例的电容阵列基板的示意图。
图3是本发明另一实施例的电容阵列基板的示意图。
图4是本发明另一实施例的电容阵列基板的示意图。
图5是本发明另一实施例的电容阵列基板的示意图。
图6是本发明另一实施例的电容阵列基板的示意图。
附图标记:
100:电容阵列基板
110:电容
120、130:走线
140:信号线
200、300、400、500、600:电容阵列基板
210、610:基板
212、412、512、612:第一侧
214、414、514:第二侧
216、416、516、616:第三侧
220、320、620:第一走线
230、330、630:第二走线
240:电容器
250、350、550:连接线
260、360、660:信号线
具体实施方式
图2是本发明一实施例的电容阵列基板的示意图。请参照图2,本实施例的电容阵列基板200包括一基板210、多条第一走线220、多条第二走线230、多个电容器240、多条连接线250以及多条信号线260。基板210具有一第一侧212、一第二侧214与一第三侧216。第一侧212连接第二侧214,而第一侧212也可垂直第二侧214。第一侧212连接第三侧216,但第一侧212可垂直或不垂直第三侧216。基板210通常呈矩形,但不限于此。各条第一走线220互相平行地配置于基板210,且各条第一走线220不垂直也不平行第一侧212。换言之,若第一侧212的边缘为水平的,则第一走线220不会呈垂直或水平状态。各条第二走线230互相平行地配置于基板210。
在此,“垂直”与“平行”都是指概略的状态,并不局限需非常精准,可容许因制程误差或刻意变化而造成的近似垂直与近似平行。
电容器240配置于基板210。每个电容器240位于一条第一走线220与一条第二走线230的交会处,且连接一条第一走线220与一条第二走线230。连接线250配置于基板210的第二侧214与第三侧216。每条连接线250连接一条第一走线220与一条第二走线230。信号线260配置于基板210。每条信号线260连接一条第一走线220或一条第二走线230,并从第一侧212传输信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的