[发明专利]封装基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种基板及其制造方法，且特别是有关于一种封装基板及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，各式电子产品不断推陈出新。其中电子产品中最重要的就属半导体芯片、主动组件或被动组件等封装结构。

一般而言，在封装工艺中，裸芯片、主动组件或被动组件经过打线接合步骤或覆晶接合步骤将其电性连接并设置于封装基板上。然后，再经过封胶步骤将裸芯片、主动组件或被动组件予以保护。

在技术提升的情况下，裸芯片、主动组件或被动组件的线路越来越密集。因此，目前封装产业均致力于研究如何在有限的厚度下，提升封装基板的精密度，以符合技术要求。

发明内容

本发明有关于一种封装基板及其制造方法，其利用半蚀刻的内埋金属层，并于其上覆盖另一金属层的方式完成跳线结构，使得跳线结构可以在极小的厚度的封装基板内完成，以提升封装基板的精密度。

根据本发明的一方面，提出一种封装基板。封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。第二介电层设置于第二凹槽内，并覆盖至少部份的第三金属层。第四金属层覆盖部份的第一介电层及第二介电层，并电性连接第一金属层及第二金属层。

根据本发明的另一方面，提出一种封装基板的制造方法。封装基板的制造方法包括以下步骤。提供一第一介电层。形成一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽于第一介电层的上表面。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。内埋一第一金属层于第一凹槽内。内埋一第二金属层于第二凹槽内。内埋一第三金属层于第三凹槽内。半蚀刻第三金属层，以使第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。设置一第二介电层于第二凹槽内，以覆盖至少部份的第三金属层。覆盖一第四金属层于部份的第一介电层及第二介电层，以电性连接第一金属层及第二金属层。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示一实施例的封装基板的示意图。

图2A～2F绘示一实施例的封装基板的制造方法的流程图。

图3绘示对第一金属层及第二金属层进行半蚀刻的封装基板的示意图。

图4A～4E绘示对第一金属层及第二金属层进行半蚀刻的封装基板的制造方法的流程图。

图5绘示双层跳线结构的封装基板的示意图。

图6A～6F绘示双层跳线结构的封装基板的制造方法的流程图。

图7绘示对第一金属层、第二金属层、第五金属层及第六金属层进行半蚀刻工艺的封装基板的示意图。

图8A～8F绘示对第一金属层、第二金属层、第五金属层及第六金属层进行半蚀刻工艺的封装基板的制造方法的流程图。

主要组件符号说明：

100：封装基板

171：第一介电层

171a：第一凹槽

171b：第二凹槽

171c：第三凹槽

171d：第四凹槽

171e：第五凹槽

171m：第一介电层的上表面

171n：第一介电层的下表面

172：第二介电层

172m：第二介电层的上表面

173：第三介电层

174：第四介电层

191：第一金属层

191m：第一金属层的上表面

192：第二金属层

192m：第二金属层的上表面

193：第三金属层

193m：第三金属层的上表面

194：第四金属层

194n：第四金属层的下表面

195：第五金属层

195m：第五金属层的上表面

196：第六金属层

196m：第六金属层的上表面

197：第七金属层

具体实施方式

以下提出各种实施例进行详细说明，其利用半蚀刻的内埋金属层，并于其上覆盖另一金属层的方式完成跳线结构，使得跳线结构可以在极小的厚度的封装基板内完成，以提升封装基板的精密度。然而，实施例仅用以作为范例说明，并不会限缩本发明欲保护的范围。实施例中的图式省略部份组件，以清楚显示本发明的技术特点。