[发明专利]封装基板及其制造方法有效
申请号: | 201110161551.2 | 申请日: | 2011-06-02 |
公开(公告)号: | CN102244060A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 朴珠炫;洪荣文;金锡奉 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装基板,包括:
一第一介电层,具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽,该第三凹槽位于该第一凹槽及该第二凹槽之间;
一第一金属层,内埋于该第一凹槽内;
一第二金属层,内埋于该第二凹槽内;
一第三金属层,内埋于该第三凹槽内,该第三金属层的上表面低于该第一介电层的上表面;
一第二介电层,设置于该第三凹槽内,并覆盖至少部份的该第三金属层;以及
一第四金属层,覆盖部份的该第一介电层及该第二介电层,并电性连接该第一金属层及该第二金属层。
2.如权利要求1所述的封装基板,其中该第一金属层的上表面低于该第一介电层的上表面,该第二金属层的上表面低于该第一介电层的上表面。
3.如权利要求2所述的封装基板,其中部份的该第四金属层设置于该第一凹槽及该第二凹槽内。
4.如权利要求1所述的封装基板,其中该第一金属层的上表面、该第二金属层的上表面及该第一介电层的上表面实质上位于同一平面。
5.如权利要求1所述的封装基板,更包括:
一第三介电层,覆盖该第四金属层。
6.如权利要求5所述的封装基板,其中该第一介电层更具有一第四凹槽及一第五凹槽,该封装基板更包括:
一第五金属层,内埋于该第四凹槽内;
一第六金属层,内埋于该第五凹槽内;以及
一第七金属层,覆盖该第三介电层,并电性连接该第五金属层及该第六金属层。
7.如权利要求6所述的封装基板,其中该第五金属层的上表面低于该第一介电层的上表面,该第六金属层的上表面低于该第一介电层的上表面。
8.如权利要求7所述的封装基板,其中部份的该第七金属层设置于该第四凹槽及该五凹槽内。
9.如权利要求6所述的封装基板,其中该第五金属层的上表面、该第六金属层的上表面及该第一介电层的上表面实质上位于同一平面。
10.如权利要求6所述的封装基板,更包括:
一第四介电层,覆盖该第七金属层。
11.一种封装基板的制造方法,包括:
提供一第一介电层;
形成一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽于该第一介电层的上表面,该第三凹槽位于该第一凹槽及该第二凹槽之间;
内埋一第一金属层于该第一凹槽内;
内埋一第二金属层于该第二凹槽内;
内埋一第三金属层于该第三凹槽内;
半蚀刻该第三金属层,以使该第三金属层的上表面低于该第一介电层的上表面;
设置一第二介电层于该第三凹槽内,以覆盖至少部份的该第三金属层;以及
覆盖一第四金属层于部份的该第一介电层及该第二介电层,以电性连接该第一金属层及该第二金属层。
12.如权利要求11所述的封装基板的制造方法,更包括:
半蚀刻该第一金属层,以使该第一金属层的上表面低于该第一介电层的上表面;以及
半蚀刻该第二金属层,以使该第二金属层的上表面低于该第一介电层的上表面。
13.如权利要求11所述的封装基板的制造方法,其中在内埋该第一金属层的该步骤及内埋该第二金属层的该步骤中,该第一金属层的上表面、该第二金属层的上表面及该第一介电层的上表面实质上位于同一平面。
14.如权利要求11所述的封装基板的制造方法,更包括:
覆盖一第三介电层于该第四金属层。
15.如权利要求14所述的封装基板的制造方法,更包括:
形成一第四凹槽及一第五凹槽于该第一介电层的上表面;
内埋一第五金属层于该第四凹槽内;
内埋一第六金属层于该第五凹槽内;以及
覆盖一第七金属层于该第三介电层,以电性连接该第五金属层及该第六金属层。
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