[发明专利]封装基板结构无效
申请号: | 201110160208.6 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN102833945A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 曾博榆 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/18 | 分类号: | H05K1/18;H05K1/11;H01L23/498 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 板结 | ||
技术领域
本发明涉及一种具超薄种子层(seed layer)的封装基板结构,尤其涉及具有超薄种子层以增加金属凸块或线路与基板的附着度及结合力,以及由于超薄种子层的厚度很薄,因此可有效缩小基板上线路的线宽及线距。
背景技术
传统封装基板结构中,通常是直接将铜箔压合于基板的表面上做为导通层,铜箔的厚度一般约为3μm~12μm,接着在经过压模、微影、镀铜、蚀刻来于导通层上形成线路,然而现今数字电路板日趋轻、薄、短、小、高密度,因此细线路的印刷需求逐渐提高。
由于细线路的基板线路密度较高,因此基板上的线距及线宽相对要缩小,但利用一般现下的铜箔做为导通层,由于一般铜箔的厚度约为3μm~12μm,导致在缩小线距上有限制,因此较难提高细线路基板的密度及良率,另外,线路层的尺寸缩小后,可能容易产生金属线路与基板的附着度或结合力不佳,而导致分离的状态。
因此,需要一种容易有助于增加线路与基板的附着度及结合力,并能有效缩小基板上线路的线宽及线距,故可增加制作细线路的良率的封装基板结构。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种封装基板结构,该封装基板结构可以为单层、双层或是多层结构,主要包含基板、孔洞以及包含至少一金属凸块的线路层,在基板形成线路层之基面的一部份,以及孔洞的孔壁中,具有一超薄种子层,也就是超薄种子层介于基面以及金属凸块之间。
利用超薄种子层很薄的厚度,可有效缩小基板上线路的线宽及线距,并增加金属凸块或线路与基板的附着度及结合力。
附图说明
图1为本发明封装基板结构第一实施例的剖面示意图。
图2为本发明封装基板结构第二实施例的剖面示意图。
图3为本发明封装基板结构第三实施例的剖面示意图。
具体实施方式
以下配合图式对本发明之实施方式做更详细的说明,使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。
参考图1,本发明封装基板结构第一实施例的剖面示意图。,如图1所示,本发明封装基板结构第一实施例为一单层封装基板结构1,包含一基板10、至少一孔洞20以及一线路层30,基板10的一表面,形成一基面11,孔洞20形成于基板10中,而线路层30包含至少一个金属凸块31、33,该金属凸块31、33形成于基面11的一部份上,且将该至少一孔洞20填满,此外,在形成金属凸块31、33的基面11的一部份,以及该至少一孔洞20的孔壁,具有以导电材料所形成的一超薄种子层(seed layer)40,也就是超薄种子层40介于基面11以及金属凸块31、33之间。
在第一实施例中,其中该至少一孔洞20包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一,金属凸块31、33以铜或铜合金所制成,基面11可以为一粗糙表面,而该超薄种子层40随着该基面11的粗糙度而起伏,超薄种子层40的厚度小于1μm,用以在形成金属凸块31、33时增加其与基板10之表面的附着度及结合力。要注意的是,基板10的表面包含该基板的上表面及下表面的其中之一,在图1中以上表面表示。
参考图2,本发明封装基板结构第二实施例的剖面示意图。如图2所示,本发明封装基板结构第二实施例为一双层封装基板结构2,包含一基板10、至少一孔洞22、一上部线路层32以及一下部电路层34,基板10的上表面形成一上基面13,且基板10的下表面形成一下基面15,孔洞22形成于基板10中,而上部线路层32包含至少一个金属凸块35、37,下部线路层32包含至少一个金属凸块39、41,该金属凸块35、37形成于上基面13的一部份上,该金属凸块39、41形成于下基面15的一部份上,且将该至少一孔洞22填满,使上部电路层32与下部电路层34电气连通。此外,在形成金属凸块35、37的上基面13的一部份、形成金属凸块39、41的下基面15的一部份以及该至少一孔洞22的孔壁,具有以导电材料所形成的一超薄种子层40,也就是超薄种子层40介于上基面13以及金属凸块35、37之间以及下基面15以及金属凸块39、41之间。
在第二实施例中,其中该至少一孔洞22包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一,金属凸块35、37、39、41以铜或铜合金所制成,上基面13以及下基面15可以为一粗糙表面,而该超薄种子层40随着该基面11的粗糙度而起伏,超薄种子层40的厚度小于1μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于景硕科技股份有限公司,未经景硕科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110160208.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于硫的载热介质和该载热介质的用途
- 下一篇:能量转换模块