[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号: | 201110158241.5 | 申请日: | 2011-06-01 | 
| 公开(公告)号: | CN102270615A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 | 
| 发明(设计)人: | 菊池正雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 | 
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/42;H01L23/31;H01L25/07 | 
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;王忠忠 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 半导体 装置 | ||
1.一种功率半导体装置,其特征在于,具备:
功率半导体元件;
第1金属块,通过选择性地形成于所述功率半导体元件上表面的第1上表面电极图案与所述功率半导体元件连接;以及
注塑树脂,覆盖着所述功率半导体元件与所述第1金属块而充填,
所述第1金属块其上表面从所述注塑树脂表面露出。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置,其特征在于,还具备:
第2金属块,上表面的一部分通过形成于所述功率半导体元件下表面的下表面电极图案,与所述功率半导体元件连接;以及
第3金属块,与所述第2金属块的所述上表面的另一部分连接,并且被所述注塑树脂覆盖,
所述第3金属块其上表面从所述注塑树脂表面露出。
3.根据权利要求2所述的功率半导体装置,其特征在于,还具备:
绝缘构件,将所述第1、第3金属块连结成一体,同时由所述第2金属块支持着配置。
4.根据权利要求2或3所述的功率半导体装置,其特征在于,还具备:
第2上表面电极图案,有选择地形成于所述功率半导体元件上表面;以及
金属线,由支持构件支持,与所述第2上表面电极图案连接,
所述支持构件固定于所述第2金属块。
5.一种功率半导体装置,其特征在于,具备:
功率半导体元件;
第1金属引线,一端侧连接于所述功率半导体元件,另一端侧向所述功率半导体元件的上方引出;
注塑树脂,覆盖着所述功率半导体元件与所述第1金属引线的所述一端侧而充填,在所述功率半导体元件的上方形成凹部;以及
第1金属块,收容于所述凹部,
所述第1金属引线的所述另一端侧折曲着与所述第1金属块上表面连接。
6.根据权利要求5所述的功率半导体装置,其特征在于,
所述第1金属引线通过所述第1金属块的一侧,在所述注塑树脂表面往向着所述第1金属块的方向折曲地形成。
7.根据权利要求5或6所述的功率半导体装置,其特征在于,还具备:
第2金属块,上表面的一部分通过形成于所述功率半导体元件下表面的下表面电极图案与所述功率半导体元件连接,并且被所述注塑树脂所覆盖;以及
第3金属块,在所述第2金属块的上方,形成于设置在所述注塑树脂的凹部,一端侧通过被所述注塑树脂覆盖的第2金属引线与所述第2金属块的所述上表面的另一部分连接,
所述第2金属引线的与所述第3金属块的上表面连接的另一端侧的端部从所述注塑树脂表面露出。
8.根据权利要求2或3所述的功率半导体装置,其特征在于,
所述第1、第3金属块在其上表面具有阴螺丝部。
9.根据权利要求7所述的功率半导体装置,其特征在于,
所述第1、第3金属块在其上表面具有阴螺丝部。
10.根据权利要求2或3所述的功率半导体装置,其特征在于,
所述第1、第3金属块在其上表面具有阳螺丝部。
11.根据权利要求7所述的功率半导体装置,其特征在于,
所述第1、第3金属块在其上表面具有阳螺丝部。
12.根据权利要求2或3所述的功率半导体装置,其特征在于,还具备:
配线基板,该配线基板在所述第1、第3金属块的上方,配设于所述注塑树脂上,与所述第1、第3金属块连接。
13.根据权利要求7所述的功率半导体装置,其特征在于,还具备:
配线基板,该配线基板在所述第1、第3金属块的上方,配设于所述注塑树脂上,与所述第1、第3金属块连接。
14.根据权利要求12所述的功率半导体装置,其特征在于,
所述配线基板具备在俯视的情况下包围所述第1、第3金属块的金属层。
15.根据权利要求13所述的功率半导体装置,其特征在于,
所述配线基板具备在俯视的情况下包围所述第1、第3金属块的金属层。
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