[发明专利]热固性硅树脂用组合物无效
申请号: | 201110157575.0 | 申请日: | 2011-06-02 |
公开(公告)号: | CN102268186A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 片山博之;近藤隆;松田广和;木村龙一 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C08L83/06 | 分类号: | C08L83/06;C08L83/05;C08K9/06;C08K3/36;C08K5/5425;C08K5/5435;H01L33/56 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 热固性 硅树脂 组合 | ||
技术领域
本发明涉及一种热固性硅树脂用组合物。更特别地,本发明涉及能够形成半固化状态的热固性硅树脂用组合物,在所述半固化状态下能够进行光半导体元件的封装加工;作为所述组合物的半固化材料的硅树脂片;通过进一步固化所述片材而获得的树脂固化材料;和利用所述片材封装的光半导体装置。
背景技术
已经研究了对一般照明的应用的高功率白光LED装置要求具有耐光性和耐热性的封装材料。近年来,已经大量使用了所谓的“加成固化型有机硅”。
该加成固化型有机硅是通过如下步骤获得的有机硅:在铂催化剂的存在下,对主要由在主链上具有乙烯基的有机硅衍生物和在主链上具有SiH基团的有机硅衍生物构成的混合物进行热固化。例如,专利文献1公开了一种树脂组合物,其提供了具有优异的透明性和绝缘特性的固化材料,所述固化材料通过将有机聚硅氧烷引入到组合物中以将组合物中硅键合的氢原子和烯基的摩尔比设定至特定范围而获得。
专利文献2公开了一种树脂组合物,其含有在一个分子中具有至少两个硅原子键合的烯基的硅树脂和各自在一个分子中具有至少两个硅原子键合的氢原子的有机氢硅烷和/或有机氢硅氧烷。
专利文献3公开了一种组合物,通过以特定量组合使用在分子链中间具有硅原子键合的氢原子(Si-H基团)的直链聚有机氢硅氧烷与在分子链两端具有Si-H基团的直链聚有机氢硅氧烷,所述组合物得到具有优异强度的固化材料。
另一方面,在加成固化型硅树脂中,因为通常使用具有高活性的铂催化剂,所以当固化反应一旦开始,则极难在中途停止反应,且难以形成半固化状态(阶段B)。于是,为了降低铂催化剂的催化活性,已知有效的是,添加磷化合物、氮化合物、硫化合物或乙炔作为反应抑制剂(参见,例如,专利文献4)。
专利文献1:JP-A-2000-198930
专利文献2:JP-A-2004-186168
专利文献3:JP-A-2008-150437
专利文献4:JP-A-6-118254
发明内容
然而,尽管常规的加成固化型硅树脂具有优异的耐久性,但是在固化反应之前,它们由粘性液体构成,从而使处理变得复杂,且在某些情况下粘度随周围环境而变化。因而,它们仍不令人满意。
并且,已知作为反应抑制剂的化合物对树脂耐久性产生影响,从而需要另一种反应控制方法。
本发明的目的是提供一种能形成半固化状态的热固性硅树脂用组合物、作为所述组合物的半固化材料的硅树脂片、通过进一步固化所述片材而获得的树脂固化材料和利用所述片材封装的光半导体装置,在所述半固化状态下能够进行光半导体元件的封装加工,所述组合物除了具有耐光性和耐热性之外,还具有优异的机械强度和粘附性。
为了解决上述问题,本发明人进行了广泛且深入的研究。结果发现,通过在含有与缩合反应有关的有机硅成分和与加成反应有关的有机硅成分两者的组合物中共混二氧化硅粒子,可以逐步进行固化反应,从而使组合物能够形成稳定的半固化状态,尽管共混了二氧化硅粒子,仍能够提高机械强度和粘附性而不降低有机硅成分固有的优异的耐热性和耐光性。
即,本发明涉及如下项1~10。
1.一种热固性硅树脂用组合物,其包含:
(1)在末端具有硅烷醇基的有机聚硅氧烷;
(2)含烯基的硅化合物;
(3)含环氧基的硅化合物;
(4)有机氢硅氧烷;
(5)缩合催化剂;
(6)氢化硅烷化催化剂;和
(7)二氧化硅粒子,
其中所述(7)二氧化硅粒子具有2~50μm的50%体积累积粒径,粒度为1μm以下的粒子的含量为15数量%以下,且粒度为60μm以上的粒子的含量为15数量%以下。
2.项1的组合物,其中所述(1)在末端具有硅烷醇基的有机聚硅氧烷包含由下式(I)表示的化合物:
式中R1表示一价烃基;且n表示1以上的整数,条件是所有R1基团可以彼此相同或不同。
3.项1或2的组合物,其中所述(2)含烯基的硅化合物包括由下式(II)表示的化合物:
R2-Si(X1)3 (II)
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110157575.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高纯度丹酚酸A的制备方法
- 下一篇:一种硝酸盐缓释材料及其制备方法