[发明专利]用于三维金属互连技术的一般化的器件组装的使用

权利要求书

1.一种组装方法，包括：

a.将多个经单个化的器件元件组装到承载衬底上；

b.在第二衬底上制造多个裸芯片；

c.堆叠所述第二衬底和所述承载衬底，使得所述多个裸芯片面对所述多个器件元件；以及

d.将所述多个器件元件键合到所述多个裸芯片，使得将至少一个器件元件键合到每个裸芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括移除所述承载衬底，从而留下键合到所述多个裸芯片的所述多个器件元件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个经单个化的器件元件包括多个经单个化的裸芯片，所述多个经单个化的裸芯片使用与用来制造所述第二衬底上的所述多个裸芯片的技术不同的技术制造。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个经单个化的器件元件包括多个无源元件。

5.一种组装方法，包括：

a.将多个经单个化的第一裸芯片组装到承载衬底上；

b.在第二衬底上制造多个第二裸芯片；

c.堆叠所述第二衬底和所述承载衬底，使得所述多个第二裸芯片面对所述多个第一裸芯片；以及

d.将所述多个第一裸芯片键合到所述多个第二裸芯片，使得将至少一个第一裸芯片在操作上键合到每个第二裸芯片。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将至少一个第一裸芯片在操作上键合到每个第二裸芯片形成它们之间的金属互连。

7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括移除所述承载衬底，从而留下键合到所述多个第二裸芯片的所述多个第一裸芯片。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述多个第一裸芯片中的每个裸芯片具有金属化的背表面。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述多个第一裸芯片之上添加帽结构，并且将所述帽结构耦合到所述第二衬底，其中所述帽结构包括多个凹陷，每个凹陷与相应的一个第一裸芯片对准并且具有提供所述凹陷的表面和所述第一裸芯片之间的空隙的形状和尺寸。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述多个第一裸芯片之上添加帽结构，并且将所述帽结构耦合到所述第二衬底，其中所述帽结构包括多个凹陷，每个凹陷与相应的一个第一裸芯片对准并且具有与所述第一裸芯片匹配的形状和尺寸。

11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述多个键合的第一裸芯片和所述第二衬底之上施加绝缘层。

12.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二衬底的直径等于所述承载衬底的直径。

13.根据权利要求5所述的方法，其中所述承载衬底包括在所述承载衬底的顶表面上形成的多个凹陷，其中每个凹陷的形状与每个经单个化的第一裸芯片的形状互补，使得每个经单个化的第一裸芯片适合在每个凹陷内。

14.根据权利要求13所述的方法，其中每个凹陷的形状和每个经单个化的第一裸芯片的形状被配置成使得每个经单个化的第一裸芯片根据特定定向适合在每个凹陷内。

15.根据权利要求13所述的方法，其中耦合到所述第二衬底的所述承载衬底在所述多个第一裸芯片之上形成帽。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述承载衬底中的所述多个凹陷中的每个凹陷具有形成在其中的一个或者多个层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中至少一个层包括绝缘层。

18.根据权利要求16所述的方法，其中至少一个层包括金属化层。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述多个第一裸芯片中的一个或者多个裸芯片包括在第一裸芯片面对所述凹陷的背侧上形成的一个或者多个层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中至少一个层包括绝缘层。

21.根据权利要求19所述的方法，其中至少一个层包括金属化层。