[发明专利]包括多个MOS管的IC及其铝线的光刻方法、制备方法有效
| 申请号： | 201110151796.7 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102820298A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 王者伟;曾令旭;牟亮伟;黄兆兴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 mos ic 及其 光刻 方法 制备 | ||
1. 一种包括多个MOS管的集成电路，所述MOS管包括多晶硅栅极引线，所述集成电路包括与所述多晶硅栅极引线在同一布线层上的铝线，所述铝线置于任意两条所述多晶硅栅极引线之间，其特征在于，所述铝线上设置用于铝线光刻构图的减反射层，所述减反射层是厚度范围基本为90埃至130埃的非晶硅薄膜。
2. 如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路的最小特征尺寸大于或等于0.5微米。
3. 如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述铝线的厚度范围为0.65至0.75微米。
4. 如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述多晶硅栅极引线与所述铝线相互基本平行。
5. 一种包括多个MOS管的集成电路的铝线的光刻方法，所述MOS管包括多晶硅栅极引线，所述集成电路包括与所述多晶硅栅极引线在同一布线层上的铝线，所述铝线置于任意两条所述多晶硅栅极引线之间，其特征在于，该光刻方法在曝光过程中采用厚度范围基本为90埃至130埃的非晶硅薄膜作为减反射层。
6. 如权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述曝光过程中所采用的光源的波长范围为365至486nm。
7. 如权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述集成电路的最小特征尺寸大于或等于0.5微米。
8. 如权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述非晶硅薄膜通过物理气相沉积形成。
9. 一种包括多个MOS管的集成电路的铝线的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如权利要求5至8中任一项所述的光刻方法步骤。
10. 如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
在构图形成所述多晶硅栅极引线之后，沉积铝金属层；
在所述铝金属层上沉积厚度范围基本为90埃至130埃的非晶硅薄膜；以及
以所述非晶硅薄膜为减反射层进行光刻构图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110151796.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
