[发明专利]后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法

权利要求书

1.一种后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法，包括以下步骤：

在晶圆表面形成多晶硅假栅结构以及测试结构；

确定测试结构密度量测目标及误差范围；

使用XRR设备测量测试结构的密度，判断多晶硅假栅是否完全移除。

2.一种后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法，包括以下步骤：

在晶圆表面形成多晶硅假栅结构以及测试结构；

确定测试结构中绝缘层厚度量测目标及误差范围；以及

使用XRR设备测量绝缘层和多晶硅的厚度，判断多晶硅是否完全移除和/或发生过刻蚀。

3.如权利要求1或2的方法，其中，测试结构与多晶硅假栅采用相同工艺同时制作在相同水平面内。

4.如权利要求1或2的方法，其中，测试结构包括衬底上的绝缘层、多晶硅、侧壁、层间介质层。

5.如权利要求1或2的方法，其中，测试结构具有预定的图形密度，该图形密度定义为多晶硅宽度与多晶硅间距的比值。

6.如权利要求1或2的方法，其中，测试结构位于晶圆内部独立芯片单元的切割线上，或者位于独立芯片单元内部。

7.如权利要求1或2的方法，其中，测试结构为长方形或者正方形。

8.如权利要求7的方法，其中，测试结构的尺寸为20μm×20μm、30μm×30μm、50μm×50μm中的一种。

9.如权利要求1或2的方法，其中，测试结构的密度范围为10％-100％。

10.如权利要求9的方法，其中，测试结构的密度范围为50％。

11.如权利要求2的方法，其中，绝缘层为高k材料、氧化硅或氮氧化硅。

12.如权利要求1或2的方法，其中，通过实验性设计(DOE)结合XRR测试手段，获取多晶硅被完全去除的样品晶圆的测试结构密度和/或绝缘层厚度以及误差范围。

13.如权利要求1或2的方法，其中，如果测试结构密度和/或绝缘层厚度超出误差范围，则判定多晶硅没有完全去除，需要二次处理。