[发明专利]SiC衬底的减薄方法无效
| 申请号： | 201110146097.3 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102214568A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 魏珂;黄俊;刘果果;李诚瞻;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/30;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 衬底 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC衬底的减薄方法，其特征在于，包括：
匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaN HEMT 器件；
将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；
将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述光刻胶包括正胶或负胶。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
所述正胶的厚度约为3000-5000nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述匀光刻胶是在150℃时，真空加热2-4分钟的条件下进行匀光刻胶。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述蜡选用熔点70℃或熔点120℃的蜡。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述刻蚀时间为 3-4小时。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述刻蚀速率至少是800nm/每分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述刻蚀气体包括SF6加O2。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述托片是石英托片或者蓝宝石托片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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