[发明专利]等离子处理装置及供气构件支撑装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子处理装置及供气构件支撑装置(下面有时仅称为支撑装置)，本发明尤其涉及一种内部进行等离子处理时供给气体的等离子处理装置、及内部进行等离子处理时供给等离子处理用气体的等离子处理装置中所使用的供气构件支撑装置。

背景技术

LSI(Large Scale Integrated circuit，大规模集成电路)或MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)晶体管等半导体元件是对作为被处理基板的半导体基板(晶片)实施蚀刻或CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)、溅镀等处理而制造。关于蚀刻或CVD、溅镀等处理，有使用等离子作为其能量供给源的处理方法，即等离子蚀刻或等离子CVD、等离子溅镀等。

此处，与内部进行所述等离子处理的等离子处理装置相关的技术是公开于日本专利特开2009-302324号公报(专利文献1)。

【先行技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本专利特开2009-302324号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

此处，以所述专利文献1为代表的普通等离子处理装置包括：处理容器，包含圆筒状的侧壁，且于其内部对被处理基板进行等离子处理；及供气机构，向处理容器内供给等离子处理用气体。供气机构向处理容器内适当地供给等离子激发用气体或等离子蚀刻处理用气体等。

供气机构中包含配置在处理容器内且圆环状延伸的供气构件。从处理容器内的有效供给等离子处理用气体的观点出发，此供气构件例如配置在保持台的上方侧。在处理容器内，供气构件是通过从处理容器的侧壁的内壁面起径向延伸、具体来说向内径侧延伸的多个棒状的支撑构件而固定并被支撑。

此处，进行等离子处理时或安装供气构件时等，存在对支撑构件附加强应力的情况。在此情况下，由于支撑构件是固定在侧壁及供气构件上，因此有可能导致附加应力集中。如此一来，支撑构件的更换或维护等情况会频繁发生，所以不够优选。

本发明的目的在于提供一种可以避免支撑构件的应力集中、确实地供给气体而进行等离子处理的等离子处理装置。

本发明的另一目的在于提供一种可以避免支撑构件的应力集中、确实地支撑配置于处理容器内的供气构件的供气构件支撑装置。

[解决问题的技术手段]

本发明的等离子处理装置对被处理基板进行等离子处理，其特征在于包括：处理容器，包含位于下方侧的底部、及从底部的外周向上方向延伸的筒状侧壁，且可将被处理基板收纳于其内部；供气构件，配置在处理容器内的规定位置，具有在规定方向上延伸的形状，且设有供给等离子处理用气体的供气口；多个支撑构件，以将供气构件及侧壁连结的方式，在供气构件延伸的方向隔开各自之间隔设有供气构件；及安装部，可将支撑构件安装在侧壁。支撑构件包含：固定并安装于安装部的第一支撑构件；及以自由支撑的方式安装于安装部的第二支撑构件。

通过这样的构成，在等离子处理装置中，即便在等离子处理时或安装时等对供气构件附加了应力的情况下，由于第二支撑部是以自由支撑的方式安装于安装部，所以也可以允许供气构件移动。如此一来，可以避免第二支撑构件的应力集中。在此情况下，由于第一支撑构件是固定于安装部，所以供气构件稳定地支撑在处理容器内的规定位置处。因此，可以确实地供给气体而进行等离子处理。

本发明的另一形态是一种供气构件支撑装置，其设置在对被处理基板进行等离子处理的等离子处理装置中，且于处理容器内支撑供气构件，此等离子处理装置包括：处理容器，包含位于下方侧的底部、及从底部的外周向上方向延伸的筒状侧壁，且可将被处理基板收纳于其内部；及供气构件，配置在处理容器内的规定位置，具有在规定方向延伸的形状，且设有供给等离子处理用气体的供气口；所述供气构件支撑装置的特征在于包括：多个支撑构件，以将供气构件及侧壁连结的方式，在供气构件延伸的方向隔开各自之间隔而设置；及安装部，固定于侧壁且可安装支撑构件；且支撑构件包含固定并安装于安装部的第一支撑构件、及以自由支撑的方式安装于安装部的第二支撑构件。

根据这种供气构件支撑装置，可以确实地支撑配置在处理容器内的供气构件。

[发明的效果]