[发明专利]等离子处理装置及供气构件支撑装置有效
| 申请号: | 201110145317.0 | 申请日: | 2011-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN102260862A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
| 发明(设计)人: | 三原直辉;周藤贤治;村上和生;古川哲史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子 处理 装置 供气 构件 支撑 | ||
1.一种等离子处理装置,其特征在于:其对被处理基板进行等离子处理,且包括:
处理容器,包含位于下方侧的底部、及从所述底部的外周向上方向延伸的筒状侧壁,且可将所述被处理基板收纳于其内部;
供气构件,配置在所述处理容器内的规定位置,且设有供给等离子处理用气体的供气口;
多个支撑构件,以将所述供气构件及所述侧壁连结的方式,将所述供气构件隔开各自之间隔而设置;及
安装部,可将所述支撑构件安装于所述侧壁;且
所述支撑构件包含固定并安装于所述安装部的第一支撑构件、及以自由支撑的方式安装于所述安装部的第二支撑构件。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其中
所述供气构件的热膨胀系数与构成所述侧壁的构件的热膨胀系数不同。
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其中
在所述安装部与所述第二支撑构件之间,设置着允许所述供气构件移动的间隙。
4.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其中
所述第一支撑构件为中空状,
且可使用所述第一支撑构件的中空状部分,从所述处理容器的外部向所述供气构件供给气体。
5.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其中
在所述第二支撑构件与所述安装部之间,设置着允许所述第二支撑构件移位的弹性构件。
6.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其中
构成所述供气构件的构件材质为电介质;
构成所述侧壁的构件材质为金属。
7.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其中
所述安装部构成所述侧壁的一部分;
所述侧壁可以所述安装部为界而上下方向地分离。
8.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其中
所述供气构件具有圆环状延伸的形状;
多个所述支撑构件是大体均等分配地设置在所述圆环状供气构件的圆周方向。
9.一种供气构件支撑装置,其特征在于:其设置在对被处理基板进行等离子处理的等离子处理装置中,且于处理容器内支撑供气构件,所述等离子处理装置包括:所述处理容器,包含位于下方侧的底部、及从所述底部的外周向上方向延伸的筒状侧壁,且可将被处理基板收纳于其内部;及所述供气构件,配置在所述处理容器内的规定位置,且设有供给等离子处理用气体的供气口;所述供气构件支撑装置包含:
以将所述供气构件及所述侧壁连结的方式隔开各自之间隔而设置的多个支撑构件、及固定于所述侧壁且可安装所述支撑构件的安装部,
所述支撑构件包含固定并安装于所述安装部的第一支撑构件、及以自由支撑的方式安装于所述安装部的第二支撑构件。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





