[发明专利]一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器有效
申请号: | 201110144168.6 | 申请日: | 2011-05-31 |
公开(公告)号: | CN102285789A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 康雪雅;王海珍;韩英 | 申请(专利权)人: | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C04B35/622 |
代理公司: | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 | 代理人: | 张莉 |
地址: | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含铅四元系负 温度 系数 热敏 电阻器 | ||
技术领域
本发明涉及一种高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器。
背景技术
负温度系数(NTC)热敏电阻具有高灵敏度、微型的特点,在许多家电、信息行业需求极大,但传统的热敏电阻器的参数指标已不能满足目前市场需求,开发具有高B值,低阻值且稳定性好、精度高可用于抑制浪涌电流的热敏电阻器有很好的市场前景。传统的NTC热敏电阻陶瓷材料一般由锰、钴、镍等过度金属的氧化物组成,这类热敏材料B值高,其电阻率高,B值低,其电阻率也低,很难获得高B值,低阻值(B≥3400K、R≤1000Ω)特性的电阻器。为了生产出高B值,低阻值且稳定性好可用于抑制浪涌电流的NTC热敏电阻元件,其关键就是要从材料体系的组成和配比上加以改进。
另外,随着热敏电阻器多层片式化的发展,要求实现NTC热敏陶瓷材料与内电极的共烧。Mn-Co-Ni-O系NTC热敏半导体陶瓷的烧结温度高达1200-1250℃,只能使用Ag-Pd内电极,成本昂贵。要降低材料的烧结温度至950℃以下,使用相对廉价的Ag电极是关键性技术环节。目前,降低材料的烧结温度一般是采用添加烧结助熔剂的方法。
本发明针对目前亟需的高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的NTC元器件为背景,根据对热敏电阻器B值、烧结温度低、阻值和可靠性的需求为依据,对原材料体系、配方、制备方法及烧结工艺等方面进行了设计与优化,本发明首先对材料体系和配方进行研究,在传统的MnCoNiO三元系材料基础上加入适量的工业冶金助熔剂PbO,组成MnNiCoPbO四元系材料,使材料的烧结温度及元件的参数、稳定性及精度方面达到要求;此外采用环氧树脂作为封装材料,提高热敏电阻器的成品率、互换性、稳定性以及可靠性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器,该电阻器以锰、钴、镍、铅的氧化物为原料,采用氧化物固相法制备粉体材料,粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结、涂烧电极、采用环氧树脂封装后制成负温度系数热敏电阻器,该电阻器具有高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的特点,适用于抑制浪涌电流及冰箱、空调等的温度测量、控制和线路补偿。克服了现有技术的不足。
本发明所述的一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器,该热敏电阻是以锰、钴、镍、铅的氧化物为原料,采用氧化物固相法制备粉体材料,粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结、涂烧电极、采用环氧树脂封装后制成,其中所述原料各组分的配比为摩尔百分比:Mn∶Ni∶Co∶Pb=44.5-51∶1.5∶46∶1.5-8。
所述的含铅四元系负温度系数热敏电阻器的制备方法,按下列步骤进行:
a、按摩尔百分比:Mn∶Ni∶Co∶Pb=44.5-51∶1.5∶46∶1.5-8分别称取分析纯原料Mn3O4、Co3O4、Ni2O3、PbO粉体置于球磨罐中,采用去离子水为分散介质,按照重量比为料∶球∶水=1∶4∶1将粉体置于行星式球磨机中球磨,时间8h;
b、将步骤a中的浆料进行洗涤,于温度120℃下烘干12h后取出手工研磨分散,得到的粉体在500℃煅烧2h,得负温度系数热敏陶瓷粉体材料;
c、将步骤b中的粉体材料以30-40Kg/cm2的压力进行压块成型,时间为1-10min,然后于温度850-950℃高温烧结2h,制得负温度系数热敏陶瓷块体材料;
d、将烧结的陶瓷块体材料正反两面涂烧银电极,采用镀锡铜线为引线,环氧树脂封装后即得热敏电阻器;
e、将所得的热敏电阻器于温度150℃老化500h,检测其阻值变化率为1%-4%,电阻器参数为B25/50=3485-4106K,B值允许偏差:±1%,R25℃=70-630Ω,阻值允许偏差:±3%。
步骤d中所述陶瓷块体材料尺寸为Φ10mm×1mm的圆片。
具体实施方式
实施例1:
a、按摩尔百分比:Mn∶Ni∶Co∶Pb=44.5∶1.5∶46∶8分别称取分析纯原料Mn3O4、Co3O4、Ni2O3、PbO粉体置于球磨罐中,采用去离子水为分散介质,按照重量比为料∶球∶水=1∶4∶1将粉体置于行星式球磨机中球磨,时间8h;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院新疆理化技术研究所,未经中国科学院新疆理化技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110144168.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。