[发明专利]阶梯状氧化层场板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，且特别涉及阶梯状氧化层场板的制作方法。

背景技术

功率MOS器件是功率集成电路的核心，直接影响电路的性能和质量。在功率MOS器件中，场板是其中不可或缺的部分，其质量对器件的性能起着重要的作用。

以图1至图4为例，其显示采用传统的制作方法形成阶梯状氧化层场板的剖面示意图。参考图1，首先，在硅衬底100表面形成第一氧化层101。参考图2，接着，基于第一掩模版，对第一氧化层101进行光照和刻蚀，以实现第一氧化层101的图形化。参考图3，接着，在第一氧化层101表面形成第二氧化层102。参考图4，基于第二掩模版，对第二氧化层102进行光照和刻蚀，从而获得构成阶梯状的第一氧化层101和第二氧化层102。

其中，在形成第一氧化层101的过程中，可采用局部的硅氧化隔离技术(LOCOS)。LOCOS是一种常用的隔离技术，常被应用于在3～0.6微米的工艺中，以在衬底中获得部分或全部的较厚的氧化层图案。此外，也可采用常规的氧化层形成技术以获得第一氧化层101。

上述阶梯状氧化层场板的传统制作方法需要采用两层掩模版，即第一掩模版和第二掩模版，并且需要进行对应的两次光照和刻蚀工艺，耗费资源较多，工艺过程也较为复杂。

发明内容

本发明提出一种阶梯状氧化层场板的制作方法，减少了工艺步骤和掩模版数量，节约了生产成本和工艺时间，提高了生产效率。

为了实现上述技术目的，本发明提出一种阶梯状氧化层场板的制作方法，包括：在待形成阶梯状氧化层场板的衬底表面进行刻蚀，形成包含由多个柱状体构成的柱状体丛的的凹槽；在所述凹槽内形成覆盖于所述凹槽表面的氧化层。

此外，本发明还提出一种阶梯状氧化层场板的制作方法，包括：在待形成阶梯状氧化层场板的衬底表面进行刻蚀，形成包含由多个柱状体构成的柱状体丛的的凹槽；在所述凹槽内形成覆盖于所述凹槽表面的第一氧化层；形成覆盖所述衬底以及所述第一氧化层表面的第二氧化层。

本发明的有益效果为：通过在衬底上刻蚀包含柱状体丛的凹槽，并形成对应的氧化层，以获得符合工艺要求阶梯厚度的阶梯状氧化层，不仅减少了工艺过程中所使用的掩模版个数，也简化了工艺流程，从而节省了生产成本，提高了生产效率。

附图说明

图1-图4为传统的阶梯状氧化层场板制作方法的剖面示意图；

图5为本发明阶梯状氧化层场板制作方法一种实施方式的流程示意图；

图6为图5所示步骤S11一种具体实施方式的剖面示意图；

图7为图5所示步骤S12一种具体实施方式的剖面示意图；

图8-图12为发明阶梯状氧化层场板制作方法一种具体实施例的剖面示意图；

图13为本发明阶梯状氧化层场板制作方法又一种实施方式的流程示意图；

图14为图13所示步骤S23一种具体实施方式的剖面示意图；

图15为执行图13所示步骤S22之后的剖面放大示意图。

具体实施方式

下面将结合具体实施例和附图，对本发明阶梯状氧化层场板的制作方法进行详细阐述。

参考图5，本发明阶梯状氧化层场板制作方法的一种具体实施方式可包括以下步骤：

步骤S11，在待形成阶梯状氧化层场板的衬底表面进行刻蚀，形成包含由多个柱状体构成的柱状体丛的的凹槽；

步骤S12，在所述凹槽内形成覆盖于所述凹槽表面的氧化层。

在步骤S11的一种具体实施方式中，参考图6，所述衬底200可为硅，可采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺对所述衬底200进行刻蚀，以获得所述凹槽201。其中，所述凹槽201包括由多个柱状体构成的柱状体丛202；该柱状体丛202可位于所述凹槽201的一侧，也可位于所述凹槽201的中部；组成该柱状体丛202的多个柱状体可具有相同的高度，其具体的高度值小于或等于所述衬底201的刻蚀深度，在实际操作中，可采用能够较为精确地控制刻蚀深度的干法刻蚀对所述衬底201进行刻蚀。

在步骤S12中，所述氧化层可通过热氧化工艺实现。参考图7，当所述衬底200为硅时，可通过热氧化工艺对所述衬底表面进行氧化，以获得氧化层203。由于凹槽201中具有柱状体丛202，因此覆盖于凹槽201表面的氧化层203形成阶梯状的分布。