[发明专利]阶梯状氧化层场板的制作方法无效
| 申请号： | 201110142081.5 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102214569A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 吴小利;唐树澍 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阶梯 氧化 层场板 制作方法 | ||
1.一种阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，包括：
在待形成阶梯状氧化层场板的衬底表面进行刻蚀，形成包含由多个柱状体构成的柱状体丛的的凹槽；
在所述凹槽内形成覆盖于所述凹槽表面的氧化层。
2.如权利要求1所述的阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，所述多个柱状体具有相同的高度。
3.如权利要求1所述的阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀形成所述凹槽。
4.如权利要求1所述的阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述氧化层。
5.如权利要求1所述的阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，通过控制所述柱状体丛中多个柱状体的高度及间距，实现对所述阶梯状氧化层阶梯厚度的控制。
6.一种阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，包括：
在待形成阶梯状氧化层场板的衬底表面进行刻蚀，形成包括由多个柱状体构成的柱状体丛的的凹槽；
在所述凹槽内形成覆盖于所述凹槽表面的第一氧化层；
形成覆盖所述衬底以及所述第一氧化层表面的第二氧化层。
7.如权利要求6所述的阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，所述多个柱状体具有相同的高度。
8.如权利要求6所述的阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀形成所述凹槽。
9.如权利要求6所述的阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述第一氧化层。
10.如权利要求6所述的阶梯状氧化层场板制作方法，其特征在于，采用化学沉积工艺形成所述第二氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
