[发明专利]非易失存储器的测试校验方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失存储器的过擦除中的测试校验方法和测试校验系统。

背景技术

为了验证存储器产品的正确性，在产品出厂前会进行一连串的测试流程。这些存储产品可以包括非挥发性存储器产品(例如，快闪存储器Flash，或是可电除可编程只读存储器EEPROM等)，也可以包括一次性可编程OTP类存储器。一般的测试流程可以包括产品接脚(pin)的短路/断路测试、逻辑功能测试、电擦除特性测试(以判断该挥发性存储器内的资料是否可以被电擦除且再写入新资料)、程序码测试(将写入该非挥发性存储器的程序码读出并与该写入程序码作比对，以判断该非挥发性存储器的读写动作是否正确)等等。

在进行电擦除特性测试过程中，以闪存(Flash Memory)为例，它是一种基于半导体的存储器，具有系统掉电后仍可保留内部信息、在线擦写等功能特点，闪存通过热电子注入机制实现对器件编程，采用隧道效应实现擦除。为了加快擦除步骤的过程，一般都会施加较强的擦除条件来进行擦除(erase)操作，在这种情况下，逻辑块(block)中的一些存储单元(cell)则可能出现过擦除(over-erase)的状态。通常情况下，在逻辑块的擦除状态完成后，会采用较强的软编程条件把处于过擦除状态的存储单元恢复到正常的擦除状态。

在整个擦除测试的过程中，因为同一个逻辑块中有较多的存储单元，每一步操作后，各存储单元所处的状态可能会有所不同。例如，在进行擦除操作后，可能会有部分存储单元会处于正常的擦除状态，而有部分存储单元会处于过擦除或者其他的非正常擦除状态，因此需要通过校验检测来找出这些处于非正常擦除状态的存储单元。又如，在对处于过擦除状态的存储单元进行软编程等过擦除处理后，还是需要通过校验检测来确定这些存储单元是否处于正常的擦除状态。

在目前常采用的校验方法为，采用逻辑控制的方法进行校验，即，控制器首先发出校验命令给某一地址的存储单元，根据校验的结果来进行后续处理，例如，经过校验后得出该存储单元处于非正常擦除状态，则需要对该存储单元进行处理并再次进行校验，直到该存储单元处于正常擦除状态为止。然后控制器会自动将校验命令发送给下一地址的存储单元进行校验，直到所有的存储单元都恢复到正常擦除状态后，即最后一个地址的存储单元恢复到正常擦除状态后，控制器停止发送校验命令，校验操作结束。此种校验检测的方法，因为一次只能校验检测一个存储单元，而且需要该校验检测结果恢复到正常状态后才能进行下一个地址存储单元的校验，因此所花费的时间较长，降低了测试的整体效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种非易失存储器的测试校验方法和校验系统，能够快速的对存储单元进行校验检测，节省校验检测的时间，提高测试的效率。

为了解决上述问题，本发明公开了一种非易失存储器的测试校验方法，包括以下步骤：

步骤101，对所有存储单元同时进行校验；

步骤102，将所有的校验结果存入寄存模块内；

步骤103，从寄存模块内逐一取出校验结果，对存储单元进行校验结果是否全部通过的判断，若通过，则结束测试校验操作，反之，则对未通过校验的存储单元进行相应的处理，并在对所有未通过校验的存储单元都进行相应的处理后，返回步骤101。

进一步地，所述对所有存储单元同时进行校验包括：

对同一页内的所有存储单元同时进行校验。

进一步地，所述从寄存模块内逐一取出校验结果，对存储单元进行校验结果是否通过的判断，并对未通过校验的存储单元进行相应的处理包括：

取出一个字节里的所有校验结果，判断该字节里的所有存储单元是否通过校验，若是，则取出下一个字节里的所有校验结果，反之，则对该字节里未通过校验的存储单元进行相应的处理后再取出下一个字节里所有的校验结果。

进一步地，所述从寄存模块内逐一取出校验结果，对存储单元进行校验结果是否通过的判断，并对未通过校验的存储单元进行相应的处理包括：

若包含有未通过校验的存储单元，则触发对该未通过校验的存储单元进行处理；

当对所有未通过校验的存储单元进行相应的处理后，触发对所有存储单元的再次校验。

进一步地，所述对所有存储单元同时进行校验包括：

对编程操作、擦除操作或过擦除处理操作后的校验。

进一步地，所述对未通过校验的存储单元进行相应的处理包括：

对未通过编程操作校验的存储单元的编程处理；或

对未通过擦除操作校验的存储单元的擦除处理；或