[发明专利]光记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 201110134953.3 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102262884A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 田畑浩;藤井洋辅;和田丰 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11B7/243 | 分类号： | G11B7/243;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋;梁韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光记录介质，包括：
无机记录层；以及
保护层，包括含有氧化铟的复合氧化物，并且设置在所述无机记录层的至少一个表面上，
其中，所述复合氧化物由化学式[(In2O3)1-X(A)X]表示，其中，A是氧化铈或氧化镓，并且X满足0.15≤X≤0.75的范围。
2.根据权利要求1所述的光记录介质，还包括在所述无机记录层和所述保护层之间的蓄热层，
其中，从所述蓄热层侧或与所述蓄热层相对的侧朝所述无机记录层施加记录和/或再生激光束。
3.根据权利要求2所述的光记录介质，其中，所述蓄热层包括ZnS和SiO2。
4.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，所述保护层设置在所述无机记录层的两侧。
5.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，所述无机记录层包括ZnS、SiO2和Sb。
6.一种光记录介质的制造方法，包括以下步骤：
形成无机记录层；以及
在所述无机记录层的至少一个表面上形成包括含有氧化铟的复合氧化物的保护层，
其中，所述复合氧化物由化学式[(In2O3)1-X(A)X]表示，其中，A是氧化铈或氧化镓，并且X满足0.15≤X≤0.75的范围。
7.根据权利要求6所述的光记录介质的制造方法，其中，在形成所述保护层的步骤中，通过直流溅射法形成所述保护层。
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