[发明专利]半导体焊接品质检测方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体，特别是涉及一种半导体焊接品质检测方法。

背景技术

目前的半导体焊接品质检测有以下几种方式：

1、机械方式，推断芯片与框架焊接位置；

2、对焊接面欧姆接触良好与否，比较推断面的硅与合金面积、面积比例而判断焊接是否良好；

采用以上判断方式，无法准确判断产品的焊接是否良好，且该检测方法费时、费事，不易操作。另外，封装后产品无法进行检测，因为塑封体已经把产品进行密封，即便开盖也导致产品的形态等发生变异，不能够确切表面产品的特性。

发明内容

本发明的主要目的是针对上述现有技术中存在的问题，提供一种检测简单、准确有效的半导体焊接品质检测方法。

为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：一种半导体焊接品

质检测方法，检测方法为： 1）、电流给定单元施加需要的电流在待测产品上； 2）、波形监控单元实时监控待测产品的正向V-A特性曲线，实时发现曲线

是否发生变异； 3）、计时单元记录从施加电流开始到待测产品的正向V-A特性曲线发生变

异的时间，如果变异时间大于或等于设定值，则待测产品为合格品，如果变异

时间小于设定值，则待测产品为不合格品。即计时单元记录从施加电流开始到

待测产品的正向V -A特性曲线发生变异的时间，时间越长表面产品的欧姆接

触电阻的阻值越小，焊接品质越可靠。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明是采用简单易行的设备，

对半导体焊接后的欧姆接触是否良好机械测试、分析和判断。它具有以下优点：

1、能够有效的监测半导体产品的焊接后欧姆接触状况，比较产品的焊接品质；

2、不受需要检测产品的当前状态限制；

3、采用现有的、简单的长余晖示波器和计时器即可完成测试。

附图说明

图1是实现半导体焊接品质检测方法的电路图；

图2是正常的半导体正向V-A曲线；

图3是变异后的半导体正向V-A曲线。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明的上述发明内容作进一步的详细描述。

但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于下述实施例。在不脱离本发明上述技术思想情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段，做出各种替换和变更，均应包括在本发明的范围内。

见图1所示，半导体焊接品质检测电路由电流给定单元、波形监控单元、

计时单元、待测产品（半导体）构成，其中，电流给定单元和波形监控单元并联连接后的一端连接在待测产品（半导体）正极上，电流给定单元和波形监控单元并联连接后的另一端经计时单元与待测产品（半导体）负极连接。半导体焊接品质检测电路实现半导体焊接品质检测，该检测方法为：

1）、电流给定单元施加需要的电流在待测产品上。电流给定单元施加产品需要的不同电流，对目前的小功率产品一般施加1.2A的电流在待测产品上； 2）、波形监控单元实时监控待测产品的正向V-A特性曲线，实时发现曲线

是否发生变异；

3）、计时单元记录从施加电流开始到待测产品的正向V-A特性曲线发生变

异的时间，如果变异时间大于或等于设定值，则待测产品为合格品，如果变异

时间小于设定值，则待测产品为不合格品。即计时单元记录从施加电流开始到

待测产品的正向V-A特性曲线发生变异的时间，变异时间越长表面产品的欧姆

接触电阻的阻值越小，焊接品质越可靠。目前的小功率产品设定值为20秒，

计时单元记录从施加电流开始到待测产品的正向V-A特性曲线发生变异的时

间，如果变异时间大于或等于20秒，则待测产品为合格品，如果变异时间小

于20秒，则待测产品为不合格品。从施加电流开始到待测产品的正向V-A特

性曲线发生变异的时间为20秒时，此时表面产品的欧姆接触电阻的阻值为

0.0000002欧姆。表面产品的欧姆接触电阻的阻值为正常的欧姆接触在

0.0000002欧姆，异常的可能会达到1欧姆左右。

本发明其工作原理是，半导体产品的V-A特性与温度有关，温度越高，V-A

曲线变化越大，而温度取决于产品的发热，导致该发热的能量等于施加的电流的平方×欧姆接触电阻×施加电流的时间。