[发明专利]一种应用于半导体硅片生产的剥离铲刀无效
| 申请号： | 201110121094.4 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102779721A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李彬;洪漪;邱昕;龚祥 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 缪利明 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 半导体 硅片 生产 剥离 铲刀 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于半导体硅片生产的剥离铲刀，包括刀柄和刀身，所述刀柄与刀身连接，其特征在于：
所述刀身采用聚醚醚酮树脂制成，所述刀身的下面为腹面，腹面设置为弧面结构；上面为背面，背面设置为斜平面。
2.根据权利要求1所述的铲刀，其特征在于，所述刀身腹面的弧面曲率半径R4为1300～1800mm。
3.根据权利要求1所述的铲刀，其特征在于，所述刀身的前端的厚度小于刀身的后端的厚度。
4.根据权利要求3所述的铲刀，其特征在于，所述前端的厚度为0.2mm。
5.根据权利要求1所述的铲刀，其特征在于，所述刀柄上设置安装孔。
6.根据权利要求5所述的铲刀，其特征在于，所述安装孔的半径R3为2～5mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海申和热磁电子有限公司，未经上海申和热磁电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110121094.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
