[发明专利]过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备。

背景技术

随着平板显示产品生产的不断扩大，各个生产厂商之间的竞争也日趋激烈。各厂家在不断提高产品性能的同时，也在不断努力降低产品的生产成本，从而提高市场的竞争力。

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)作为家喻户晓的平板显示产品，降低生产成本也是其技术革新的一个重要方面。

在TFT-LCD阵列基板上，像素电极通过像素电极过孔与栅电极电连接。在制备像素电极过孔时，需要对由钝化层和栅极绝缘层构成的复合层进行刻蚀，现有技术通常采用干法刻蚀工艺制备像素电极过孔。

干法刻蚀工艺需要先在刻蚀设备的腔体内抽真空，再通入各种反应气体进行刻蚀，刻蚀完成后还需再次抽真空，然后通入氮气使气压平衡。由此可知，采用干法刻蚀工艺制备像素电极过孔时，不能在腔体内连续进行刻蚀工序，因此产能较低。另外，干法刻蚀的设备也比较昂贵，这些都是导致现有技术制备像素电极过孔成本较高的因素。

随着有机绝缘层在显示领域的广泛使用，阵列基板上也普遍采用有机绝缘层作为钝化层。在制备像素电极过孔时，需要对由有机绝缘层和栅极绝缘层构成的复合层进行干法刻蚀，但由于有机绝缘层和栅极绝缘层的刻蚀速率不匹配，在有机绝缘层和栅极绝缘层的接面处会出现如图1中黑色圆圈部分所示的悬空结构，导致必须在栅极绝缘层过孔刻蚀完成后增加灰化扩孔工序，以扩大有机绝缘层过孔的形貌，避免后续在像素电极过孔中形成ITO(氧化铟锡)时出现搭接断路的情况。

在利用干法刻蚀工艺制备上述像素电极过孔的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

1、干法刻蚀设备昂贵，且工艺复杂，导致了像素电极过孔制造成本的增加。

2、对不同绝缘层干法刻蚀时由于刻蚀速率不匹配，导致需要增加额外的工艺，从而增加了像素电极过孔的制造成本。

3、干法刻蚀获得的像素电极过孔形貌不佳，容易出现像素电极搭接断路的情况，导致阵列基板的良率降低。

发明内容

本发明的实施例提供一种过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备，可降低像素电极过孔的制造成本，并能保证较好的过孔形貌，从而能防止薄膜晶体管液晶显示器的良率降低。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种过孔的刻蚀方法，包括：采用过孔掩膜对形成在栅极绝缘层上的有机绝缘层进行曝光、显影工艺，以在所述有机绝缘层中形成第一过孔，暴露出部分所述栅极绝缘层；所述栅极绝缘层覆盖在形成有栅电极的衬底上；用热磷酸对所述暴露出的栅极绝缘层进行湿法刻蚀，以在所述栅极绝缘层中形成第二过孔，并暴露出所述栅电极，所述热磷酸的温度为140℃～190℃；用温水清洗依次形成有所述栅电极、所述栅极绝缘层、所述有机绝缘层的衬底；剥离所述过孔掩膜。

一种阵列基板，其像素电极过孔的侧壁覆盖有有机绝缘层。

一种液晶面板，包括上述的阵列基板。

一种显示设备，包括上述的阵列基板。

本发明实施例提供的过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备中，将有机绝缘层的曝光、显影工艺与热磷酸的湿法刻蚀工艺结合起来，热磷酸的高温使得悬空的有机绝缘层软化，软化的有机绝缘层在重力的作用下覆盖在栅极绝缘层的过孔上，可实现像素电极过孔形貌的自动修补，相比于现有技术，无需增加后续的灰化扩孔工序，工艺简单，且湿法刻蚀设备简单、便宜，从而降低了像素电极过孔的制造成本，进而降低了阵列基板、液晶面板以及显示设备的制造成本，并提高了阵列基板、液晶面板以及显示设备的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中用干法刻蚀工艺制造的像素电极过孔的剖面图；

图2A～2E为本发明实施例过孔的刻蚀方法的流程剖面图。

具体实施方式