[发明专利]过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备

权利要求书

1.一种过孔的刻蚀方法，其特征在于，包括：

采用过孔掩膜对形成在栅极绝缘层上的有机绝缘层进行曝光、显影工艺，以在所述有机绝缘层中形成第一过孔，暴露出部分所述栅极绝缘层；所述栅极绝缘层覆盖在形成有栅电极的衬底上；

用热磷酸对所述暴露出的栅极绝缘层进行湿法刻蚀，以在所述栅极绝缘层中形成第二过孔，并暴露出所述栅电极，所述热磷酸的温度为140℃～190℃；

用温水清洗依次形成有所述栅电极、所述栅极绝缘层、所述有机绝缘层的衬底；

剥离所述过孔掩膜。

2.根据权利要求1所述的过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述热磷酸的温度为160℃～180℃。

3.根据权利要求1所述的过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述温水的温度为20～80℃。

4.根据权利要求1所述的过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述温水的温度为60℃。

5.根据权利要求1～4任一项所述的过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述用热磷酸对所述暴露出的栅极绝缘层进行湿法刻蚀，包括：用所述热磷酸浸泡或者喷淋依次形成有所述栅电极、所述栅极绝缘层、所述有机绝缘层的衬底。

6.一种阵列基板，其特征在于，其像素电极过孔的侧壁覆盖有有机绝缘层。

7.一种液晶面板，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。

8.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。