[发明专利]检查发光装置的方法

说明书

技术领域

本发明示例实施例主要涉及一种检查发光装置的方法。更特别的是，本发明示例实施例涉及一种对诸如发光二极管芯片之类的发光装置进行电检查工艺和光检查工艺的方法。

背景技术

通常，在半导体晶片上形成的诸如发光二极管(LED)芯片之类的发光装置在通过用切割工艺分成个体之后，可以通过裸芯(die)粘结工艺附着在诸如导引框架之类的衬底上。然后，可以在所述发光装置上执行电和光检查工艺。

可以通过使用多个探针将电信号施加到所述发光装置来在所述发光装置上进行检查工艺。特别是，要检查所述发光装置是否正常工作，电检查工艺测量流经所述发光装置的电流或者所述发光装置的电阻，光检查工艺测量通过在所述发光装置上施加电信号所发出的光的强度。

但是，根据现有技术，所述检查工艺分别在通过用切割工艺和裸芯粘结工艺个体化的每个发光装置上分别进行，使得用光和电检查所述发光装置所需要的时间增加，因而使所述发光装置的产量降低。

发明内容

本发明示例的实施例提供一种晶片水平检查工艺，能够对形成于晶片上的发光装置按序进行电检查工艺和光检查工艺。

根据本发明的一个方面，一种检查发光装置的方法包括将晶片装载到第一卡盘上，所述晶片上形成有多个发光装置；对所述晶片进行电检查工艺和光检查工艺其中的一个工艺；将所述晶片装载到第二卡盘上；进行所述电检查工艺和光检查工艺其中的另一个工艺。

根据一些示例实施例，所述晶片可以包括多个裸芯，并所述晶片以附接在切割带上的状态来提供，所述裸芯中的每一个裸芯都可以包括至少一个发光装置。

根据一些示例实施例，可以将所述发光装置分成多个第一组，可以对所述第一组重复进行所述电检查工艺。

根据一些示例实施例，可以将所述发光装置分成多个第二组，可以对从所述多个第二组中的每个第二组选择的至少一个发光装置进行所述光检查工艺。

根据一些示例实施例，分别使用具有多个第一探针的第一探针卡和具有多个第二探针的第二探针卡进行所述电检查工艺和所述光检查工艺。

根据一些示例实施例，在进行所述电检查工艺之前，可以将所述晶片与所述第一探针卡对准，以及在进行所述光检查工艺之前，可以将所述晶片与所述第二探针卡对准。

根据一些示例实施例，所述晶片可以通过用晶片传送机械手来传送，并在被装载到所述第一卡盘上之前，可以被预先对准到所述晶片传送机械手的机械手臂上的预定位置。

根据一些示例实施例，当对一个所述晶片进行所述电检查工艺和所述光检查工艺其中的一个工艺时，可以对另一个所述晶片进行所述电检查工艺和光检查工艺其中的另一个工艺。例如，当对第一晶片进行电检查工艺时，可以对第二晶片进行光检查工艺。

根据一些示例实施例，在从所述第一卡盘上卸载所述晶片之后，可以将另一晶片装载到所述第一卡盘上，然后可以将所述晶片装载到所述第二卡盘上。

根据上文描述的本发明的示例实施例，可以对形成于所述晶片上的发光装置按序进行所述电检查工艺和所述光检查工艺。特别的是，对所述第一晶片进行的光检查工艺和对所述第二晶片进行的电检查工艺可以同时进行，这样可以缩短对所述发光装置进行电和光检查所需要的时间。

进一步地，在将所述第一晶片从所述第一卡盘上卸载之后，可以将所述第二晶片装载到所述第一卡盘上，然后可以将所述第一晶片装载到所述第二卡盘上。因此，可以缩短在所述第一卡盘和所述第二卡盘之间传送所述晶片的时间。

附图说明

随着下文的详细描述，当与附图结合起来考虑时，本发明的示例实施例将会变得易于理解，其中：

图1是流程图，图示根据本发明示例实施例的检查发光装置的方法；

图2是图示用于检查发光装置的设备的例子的示意图；

图3是图示图2所示的晶片的示意图；

图4是图示图2所示的第一卡盘和电检查部的示意图；

图5是图示图2所示的第二卡盘和光检查部的示意图。

具体实施方式

接下来参考显示了本发明的示例实施例的附图更充分地描述本发明。但是，本发明可以体现为不同的形式，不应当理解为受到此处罗列的示例实施例的限制。更准确地说，提供这些实施例是使本说明书详尽和完整，充分地将本发明的范畴传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，各层和区域的尺寸和相对尺寸可能会有夸大。