[发明专利]平板显示器设备及其制造方法无效
申请号: | 201110115926.1 | 申请日: | 2004-09-15 |
公开(公告)号: | CN102222683A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 具在本;李乙浩 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 显示器 设备 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵型平板显示器设备,特别是涉及一种能够减少或防止压降、具有被电连接的一阴极母线和一阴极电极的顶部发射有机发光设备(OLED),以其制造方法。
背景技术
一般地,有机发光设备是基于从有机发射层发射的光的方向可以被分为底部发射结构型和顶部发射结构型的发射显示器设备。顶部发射有机发光设备以与安装像素的衬底的相反方向发射光,并且当与以安装像素的衬底的方向发射光的底部发射结构相比较时可以增加孔径比。
向衬底发射光用于在顶部发射结构中密封,从而透射电极用来作阴极电极。透射传导层,例如ITO或IZO,用来作透射电极。然而,透射传导层可以具有一较高功函数,从而很难用它作为阴极电极。
为了应付这个问题,在有机发射层上淀积具有较低功函数的薄金属用于阴极电极从而形成半透射金属层。然后在半透射金属层上淀积厚透射传导层从而形成具有堆叠结构的透射电极。
然而,在堆叠结构的阴极电极中,由于淀积透射传导层,例如ITO或IZO,在有机薄膜层形成后被淀积,低温淀积工艺最小化由于热或等离子体而产生的电致发光(EL)层的老化。当在较低温度淀积ITO或IZO时,膜性质可能变坏并且电阻率可能变高。
阴极电极是一种公用电极,并且相同的电压应该被施加到安装在像素部分中的所有像素。然而,由于阴极电极的高电阻率而使压降(即IR下降)发生。这引起不同电压水平被施加到根据像素安装位置的像素。从而,当从外部终端到阴极电极施加阴极电压时,靠近外部终端安装的像素和远离外部终端间隔的像素没有相同的电压,这就引起压降。每像素位置的电压差异可能引起不均一的亮度和/或图象质量。
特别地,压降问题可能在中等和大尺寸的顶部发射有机发光设备中变得更严重。韩国专利申请第2002-0057336号揭示了一种在顶部发射结构中利用阴极母线的技术。阴极母线与一外部终端相连并且与一阴极电极接触,从而阴极电极通过阴极母线与外部终端相连。
使阴极母线和阴极电极相连的方法可以防止关于像素位置的阴极电极的压降。然而,当在阴极母线和阴极电极间的衬底的整个表面上形成一电荷运输层时,例如一有机层,阴极母线与阴极电极不能电连接。
发明内容
本发明提供一种在非像素区通过电连接阴极母线和阴极电极能够实施一电荷运输层的整个表面淀积的有机发光设备,以及制造该有机发光设备的方法。
本发明还提供一种依靠精细金属掩模通过淀积电荷运输层在像素区能够连接阴极母线与每像素阴极电极的有机发光设备,以及制造该有机发光设备的方法。
本发明还提供一种适合中等和大尺寸有机发光设备的具有用于连接阴极母线与阴极电极结构的有机发光设备,以及制造该有机发光设备的方法。
为达到上述目标,本发明的一方面提供一平板显示器,包括:具有像素区和非像素区的绝缘衬底;安装在所述像素区的第一电极;安装在所述像素区和所述非像素区的第二电极;安装在所述第一电极和所述第二电极间的有机发射层和电荷运输层;和安装在所述绝缘衬底上的电极线。其中所述像素区包括从所述有机发射层发射光的发射区,和非发射区;在所述像素区中的非发射区的一部分中安装有所述电极线;以及所述电极线和所述第二电极仅在所述像素区中彼此电连接。
另外,本发明提供一种用于制造平板显示器的方法,包括:提供具有像素区和非像素区的绝缘衬底,其中所述像素区包括从有机发射层发射光的发射区,和非发射区;在所述绝缘衬底的所述像素区形成第一电极;在所述第一电极上形成有机发射层和电荷运输层;在所述像素区中的非发射区的一部分中形成电极线;以及在所述像素区和所述非像素区中形成第二电极;其中,所述电极线和所述第二电极在所述像素区中彼此电连接。
附图说明
本发明上述的和其他的特征和优点,通过仔细地描述附图中的具体实施例将会变得更明显。
图1A和1B绘示出根据本发明一实施例的一有机发光设备的平面图。
图2绘示出根据本发明一实施例的一有机发光设备的横截面视图。
图3A和3B绘示出根据本发明一实施例的一有机发光设备的平面图。
图4绘示出根据本发明一实施例的一有机发光设备的横截面视图。
具体实施方式
参考本发明的实施例的附图在下文中将充分描述本发明。然而,本发明可以不同形式被具体化并且不应该受到这里列出实施例的限制。更合适地,提供这些实施例以便揭示将会彻底和完全,并且将本发明的范围更充分地传达给本领域技术人员。在附图中,为了清楚层和区的厚度都被夸大了。全部说明书相应数字表示相应的元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社,未经三星移动显示器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110115926.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的