[发明专利]平板显示器设备及其制造方法无效
申请号: | 201110115926.1 | 申请日: | 2004-09-15 |
公开(公告)号: | CN102222683A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 具在本;李乙浩 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 显示器 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种平板显示器设备,包括:
具有像素区和非像素区的绝缘衬底;
安装在所述像素区的第一电极;
安装在所述像素区和所述非像素区的第二电极;
安装在所述第一电极和所述第二电极间的有机发射层和电荷运输层;和
安装在所述绝缘衬底上的电极线,
其中所述像素区包括从所述有机发射层发射光的发射区,和非发射区,
其中在所述像素区中的非发射区的一部分中安装有所述电极线;以及
其中所述电极线和所述第二电极仅在所述像素区中彼此电连接。
2.如权利要求1所述的平板显示器设备,其中安装在所述非发射区的一部分中的电极线是吸收外部光并且具有传导性的材料。
3.如权利要求1所述的平板显示器设备,其中在所述像素区安装的电极线的一部分具有条带形形状或矩阵形形状。
4.如权利要求1所述的平板显示器设备,其中所述电极线具有一伴随与第二电极具有相同极性电压的电流。
5.如权利要求1所述的平板显示器设备,其中所述电极线是所述第二电极的辅助电极。
6.如权利要求1所述的平板显示器设备,其中所述电极线安装在所述非像素区。
7.如权利要求1所述的平板显示器设备,其中所述电极线和所述第二电极彼此物理接触。
8.如权利要求1所述的平板显示器设备,其中所述电极线沿着所述像素区的外边缘安装在所述非像素区。
9.一种制造平板显示器的方法,包括:
提供具有像素区和非像素区的绝缘衬底,其中所述像素区包括从有机发射层发射光的发射区,和非发射区;
在所述绝缘衬底的所述像素区形成第一电极;
在所述第一电极上形成有机发射层和电荷运输层;
在所述像素区中的非发射区的一部分中形成电极线;以及
在所述像素区和所述非像素区中形成第二电极;
其中,所述电极线和所述第二电极在所述像素区中彼此电连接。
10.如权利要求9所述的方法,其中仅在所述第一电极上利用精细金属掩模部分地形成所述有机发射层,并且在仅在所述第一电极上利用开口掩模淀积所述电荷运输层。
11.如权利要求9所述的方法,其中安装在所述非发射区的一部分中的所述电极线是吸收外部光并且具有传导性的材料。
12.如权利要求9所述的方法,其中在所述像素区中安装的所述电极线的一部分具有条带形形状或矩阵形形状。
13.如权利要求9所述的方法,其中所述电极线具有与所述第二电极相同极性电压的电流。
14.如权利要求9所述的方法,其中所述电极线是所述第二电极的辅助电极。
15.如权利要求9所述的方法,其中所述电极线安装在所述非像素区。
16.如权利要求9所述的方法,其中所述电极线和所述第二电极彼此物理接触。
17.如权利要求9所述的方法,其中所述电极线沿着所述像素区的外边缘安装在所述非像素区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的