[发明专利]表面黏着型发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种表面黏着型发光二极管封装结构，其特征在于，包括：

绝缘本体，具有一由该绝缘本体顶面向下凹陷的容置部、及一位于该容置部内的配垫岛，该容置部形成一容置空间及一平坦底面，该配垫岛由该容置部的内表面部分地朝该容置空间突出且形成一导接平面；

第一导电部，具有一位于该导接平面的第一接触部、及一延伸至该绝缘本体外表面的第一接脚；

第二导电部，具有一位于该容置部底面的第二接触部、及一延伸至该绝缘本体的外表面的第二接脚；

发光二极管晶片，设于该第二接触部上；及

导线，连接该发光二极管晶片于该第一接触部。

2.如权利要求1所述的表面黏着型发光二极管封装结构，其特征在于，该容置部呈杯状且该平坦底面为圆形。

3.如权利要求2所述的表面黏着型发光二极管封装结构，其特征在于，该配垫岛的该导接平面呈扇形，该配垫岛具有一邻近该平坦底面的圆筒形弧面，其中该第二导电部局部地覆盖于该圆筒形弧面。

4.如权利要求3所述的表面黏着型发光二极管封装结构，其特征在于，该配垫岛的该导接平面低于该绝缘本体的顶面，且接近该发光二极管晶片的顶面。

5.如权利要求1所述的表面黏着型发光二极管封装结构，其特征在于，该第一导电部及该第二导电部由一镀于该绝缘本体表面的导电层形成，该导电层具有一位于该第一导电部及该第二导电部之间的隔缝，该隔缝穿过该配垫岛的该导接平面。

6.如权利要求1所述的表面黏着型发光二极管封装结构，其特征在于，该导电层覆盖于该容置部以及该绝缘本体的顶面及两侧面，并延伸至该绝缘本体的底面，该第一导电部及该第二导电部位于该绝缘本体的底面。

7.一种表面黏着型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，包括至少下列步骤：

形成一绝缘本体，并于该绝缘本体形成一凹陷状的容置部及一突出于该容置部内的配垫岛；

在该绝缘本体的表面形成一导电层，覆盖该容置部，并延伸至该绝缘本体的外表面而形成第一接脚及第二接脚；

去除该导电层的一部分而形成一隔缝，使该隔缝穿过该配垫岛、该容置部及该绝缘本体，将该导电层隔开形成第一导电部及第二导电部；

设置一发光二极管晶片于该容置部的底面且位于该第二导电部上；及

提供一导线，以使该发光二极管晶片连接于该第一导电部。

8.如权利要求7所述的表面黏着型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，还包括一步骤为，使该导电层覆盖于该绝缘本体的顶面及两侧面，并延伸至该绝缘本体的底面，而在该绝缘本体底面形成第一接脚及第二接脚。

9.如权利要求8所述的表面黏着型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，还包括一步骤为，在该容置部形成一杯状的容置空间及一平坦底面。

10.如权利要求9所述的表面黏着型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，还包括一步骤为，在该配垫岛的顶面，该第一导电部形成有第一接触部，且在该容置部的底面，该第二导电部形成有第二接触部。

11.如权利要求10所述的表面黏着型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该发光二极管晶片设置于该容置部的底面且位于该第二接触部上。

12.如权利要求11所述的表面黏着型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该导线使该发光二极管晶片连接于该第一接触部。

13.如权利要求7所述的表面黏着型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该导电层是以电镀方式形成。

14.如权利要求7所述的表面黏着型发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该隔缝是以激光蚀刻方式形成。