[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

发光器件(LED)包括将电能转换为光能的p-n结二极管。通过将周期表的III族元素与周期表的V族元素化合来制造p-n结二极管。LED能够通过调整化合物半导体的组成来产生各种颜色。

根据现有技术，存在由于电流集边导致降低可靠性并且缩短寿命的限制。

另外，根据现有技术，当出现静电放电(ESD)时，电流反向地流动，从而损坏是发光区域的有源层。为了解决此限制，可以将齐纳二极管安装到封装；然而，在这样的情况下可能出现光吸收。

发明内容

实施例提供能够提高电流扩展效率和光提取效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。

实施例还提供能够防止由于静电放电(EDS)导致的损坏而没有光吸收的损耗的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。

在一个实施例中，发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构向上暴露第一导电类型半导体层的一部分；在第二导电类型半导体层上的具有台阶部分的光透射电极；在光透射电极上的第二电极；以及暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极。

在另一实施例中，发光器件封装包括：封装主体；在封装主体上的发光器件；以及电极，该电极将封装主体电连接到发光器件。

在又一实施例中，发光模块包括发光器件封装。

在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的细节。根据说明书、附图以及权利要求书，其它的特征将会是显而易见的。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。

图2至图4是示出制造根据第一实施例的发光器件的工艺的截面图。

图5是根据第二实施例的发光器件的截面图。

图6是示出当在根据第二实施例的发光器件中出现静电放电时产生的电场的概念图。

图7是根据第二实施例的发光器件的示例性电路图。

图8是示出在根据第二实施例的发光器件中出现静电放电时的波长的视图。

图9是根据实施例的发光器件封装的截面图。

图10是根据实施例的照明单元的透视图。

图11是根据实施例的背光单元的分解透视图。

具体实施方式

在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明系统。

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或者衬底“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之间唯一的层，或者也可以存在一个或者多个中间层。

(实施例)

图1是根据第一实施例的发光器件的横截面图。

根据实施例的发光器件100可以包括：衬底105、在衬底105上的第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116。发光器件100可以进一步包括发光结构110，该发光结构110向上暴露第一导电类型半导体层112的一部分；在第二导电类型半导体层116上的具有台阶部分的光透射电极120；在光透射电极120上的第二电极146；以及在暴露的第一导电类型半导体层112上的第一电极142。

根据实施例，光透射电极120可以在台面蚀刻区域中具有逐渐减少的厚度t。而且，根据实施例，光透射电极120可以具有朝着台面蚀刻区域逐渐减少的厚度。而且，光透射电极120在第二电极146和第一电极142之间具有台阶部分并且具有从第二电极146到第一电极142逐渐减少的厚度。

例如，根据实施例的发光器件100具有其中提高电流扩展性质以增强发光效率的结构。而且，光透射电极120可以具有彼此不同的厚度t。

例如，在具有薄的厚度的光透射电极120的区域中，可以增加电阻以减少电流的强度。另一方面，在具有厚的厚度的光透射电极120的区域中，可以增加电流的强度。因此，可以在台面边缘区域中减少光透射电极120的厚度以增加电阻。结果，集中地流动的电流的强度可以减少从而均匀的电流流入整个芯片区域。

在根据实施例的发光器件100中，可以有效地调节电流流动以增加光提取效率。

而且，根据实施例，可以通过电流扩展性质来提高发光器件的可靠性。