[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号: | 201110113737.0 | 申请日: | 2011-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN102237461A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 黄盛珉 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/48;H01L25/075;H01L29/92 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
1.一种发光器件,包括:
衬底;
在所述衬底上的发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层,所述发光结构向上暴露所述第一导电类型半导体层的一部分;
在所述第二导电类型半导体层上的具有台阶部分的光透射电极;
在所述光透射电极上的第二电极;以及
在暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极,
其中所述光透射电极具有朝着台面蚀刻区域逐渐减少的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述光透射电极在所述台面蚀刻区域上具有逐渐减少的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述光透射电极在所述第二电极和所述第一电极之间具有台阶部分,并且所述光透射电极具有从所述第二电极朝着所述第一电极逐渐减少的厚度。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中电介质层进一步设置在有台阶的光透射电极上,并且
所述第一电极接触所述电介质层的一侧。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第二电极接触所述电介质层的另一侧。
6.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第一电极还设置在所述电介质层的顶表面上。
7.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述电介质层是光透射电介质层。
8.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述电介质层设置在台面边缘区域中。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述光透射电极由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ni、Pt、Cr、Ti以及Ag中的至少一个形成。
10.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第一电极、所述电介质层以及所述第二电极起电容器的作用。
11.一种发光器件封装,包括:
封装主体;
在所述封装主体上的发光器件,其中所述发光器件是根据权利要求1至10所述的发光器件中的一个;以及
电极,所述电极将所述封装主体电连接到所述发光器件。
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