[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制造方法。

背景技术

21世纪的显示领域是平板显示时代。目前，绝大多数的平板显示器件都是有源矩阵液晶显示器件，由于a-Si易于在低温下大面积制备，且技术成熟，因此成为现阶段使用最广泛的技术。

但a-Si材料带隙只有1.7V，对可见光不透明，并在可见光范围内具有光敏性，因此需增加不透明的黑矩阵来阻挡光线，这就增加了TFT LCD的工艺复杂性，提高了成本，降低了开口率。另外，为了获得足够的亮度，还需要增加光源的光强，导致功率消耗增加。因此，虽然多晶硅性能优越，但存在制备工艺复杂，成本高，在可见光波段不透明等诸多问题。

针对上述问题，若用全透明TFT代替a-Si TFT作为像素开关则可以有效解决。但现有的全透明TFT一般需要进行四次构图工艺，工艺较为复杂。

发明内容

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法，解决了现有技术中制造工艺复杂的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种TFT阵列基板制造方法，包括：

在基板上沉积第一透明导电层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；

在所述栅线和栅极上分别沉积栅绝缘层、透明半导体有源层和第二透明导电层；通过第二次构图工艺处理得到由所述第二透明导电层构成的数据线、源极、漏极和像素电极，并形成TFT沟道；

在所述数据线、源极、漏极和像素电极上沉积钝化层，通过第三次构图工艺处理去掉TFT、数据线、栅线与像素电极之间的透明半导体有源层，并形成由所述钝化层构成的保护膜图形。

所述像素电极区域的厚度比所述数据线、源极、漏极区域的厚度薄。

所述第二透明导电层具体包括：像素电极薄膜层和数据线源漏电极薄膜层，其中，所述像素电极薄膜层位于所述数据线源漏电极薄膜层的下方，所述像素电极薄膜层薄于所述数据线源漏电极薄膜层；

所述通过第二次构图工艺处理得到由所述第二透明导电层构成的数据线、源极、漏极和像素电极，并形成TFT沟道包括：通过第二次构图工艺处理得到由所述像素电极薄膜层构成的像素电极，和由所述数据线源漏电极薄膜层构成的数据线、源极、漏极，并形成TFT沟道。

所述第二次构图工艺处理包括：在所述第二透明导电层上涂覆一层光刻胶；用双缝衍射或半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影；其中，光刻胶完全保留区域为数据线、源极、漏极区域；光刻胶部分保留区域为像素电极区域，无光刻胶区域为TFT沟道区域及TFT、数据线、栅线与像素电极之间的区域。

所述第一透明导电层包括ITO层；所述透明半导体有源层包括ZnO有源层。

所述第二透明导电层包括ZnO:Al透明导电层。

所述像素电极薄膜层包括ZnO:Al薄膜层；所述数据线源漏电极薄膜层包括ITO薄膜层。

另一方面，提供一种TFT阵列基板，包括：

基板；

构成栅线和栅极的第一透明导电层，形成于所述基板之上；

栅绝缘层，形成于所述第一透明导电层之上；

透明半导体有源层，形成在所述栅绝缘层之上，且位于所述栅极上方；

构成数据线、源极、漏极和像素电极的第二透明导电层，形成于所述栅绝缘层之上，且所述源极、漏极相间隔地位于所述透明半导体有源层之上，与所述透明半导体有源层形成TFT沟道；

钝化层，形成于所述第二透明导电层之上。

所述像素电极区域的厚度比所述数据线、源极、漏极区域的厚度薄。

所述第二透明导电层具体包括：构成像素电极的像素电极薄膜层和构成数据线、源极、漏极的数据线源漏电极薄膜层，且所述像素电极薄膜层位于所述数据线源漏电极薄膜层的下方。

本发明提供的TFT阵列基板及其制造方法，在基板上沉积第一透明导电层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；在栅线和栅极上分别沉积栅绝缘层、透明半导体有源层和第二透明导电层；通过第二次构图工艺处理得到由第二透明导电层构成的数据线、源极、漏极和像素电极，并形成TFT沟道；在数据线、源极、漏极和像素电极上沉积钝化层，通过第三次构图工艺处理去掉TFT、数据线、栅线与像素电极之间的透明半导体有源层，并形成由钝化层构成的保护膜图形。这样一来，只需三次构图工艺处理就能够得到全透明的TFT阵列基板，比现有技术中采用四次构图工艺处理的制造方法简便很多，节约了制造成本，提高了制造效率。

附图说明