[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积第一透明导电层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；

在所述栅线和栅极上分别沉积栅绝缘层、透明半导体有源层和包括透明导电层的第二导电层；通过第二次构图工艺处理得到由所述第二导电层构成的数据线、源极、漏极和像素电极，并形成TFT沟道；

在所述数据线、源极、漏极和像素电极上沉积钝化层，通过第三次构图工艺处理去掉TFT、数据线、栅线与像素电极之间的透明半导体有源层，并形成由所述钝化层构成的保护膜图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素电极区域的厚度比所述数据线、源极、漏极区域的厚度薄。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导电层具体包括：像素电极薄膜层和数据线薄膜层，其中，所述像素电极薄膜层位于所述数据线薄膜层的下方，所述像素电极薄膜层薄于所述数据线源漏电极薄膜层；

所述通过第二次构图工艺处理得到由所述第二导电层构成的数据线、源极、漏极和像素电极，并形成TFT沟道包括：

通过第二次构图工艺处理得到由所述像素电极薄膜层构成的像素电极，和由所述数据线源漏电极薄膜层构成的数据线、源极、漏极，并形成TFT沟道。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述第二次构图工艺处理包括：

在所述第二透明导电层上涂覆一层光刻胶；

用双缝衍射或半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影；其中，光刻胶完全保留区域为数据线、源极、漏极区域；光刻胶部分保留区域为像素电极区域，无光刻胶区域为TFT沟道区域及TFT、数据线、栅线与像素电极之间的区域。

5.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述第一透明导电层包括ITO层；所述透明半导体有源层包括ZnO有源层。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二透明导电层包括ZnO:Al透明导电层。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述像素电极薄膜层包括ZnO:Al薄膜层；所述数据线源漏电极薄膜层包括ITO薄膜层。

8.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

构成栅线和栅极的第一透明导电层，形成于所述基板之上；

栅绝缘层，形成于所述第一透明导电层之上；

透明半导体有源层，形成在所述栅绝缘层之上，且位于所述栅极上方；

构成包括透明导电层的的第二导电层，第二导电层包括数据线、源极、漏极和像素电极，形成于所述栅绝缘层之上，且所述源极、漏极相间隔地位于所述透明半导体有源层之上，与所述透明半导体有源层形成TFT沟道；

钝化层，形成于所述第二导电层之上。

9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极区域的厚度比所述数据线、源极、漏极区域的厚度薄。

10.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二导电层具体包括：

构成像素电极的像素电极薄膜层和构成数据线、源极、漏极的数据线源漏电极薄膜层，且所述像素电极薄膜层位于所述数据线源漏电极薄膜层的下方，所述像素电极薄膜层薄于所述数据线源漏电极薄膜层。