[发明专利]功率放大装置及功放电路

权利要求书

1.一种功率放大装置，该装置包括一个或多个串联的推动级功放电路以及与最后一个推动级功放电路的输出端连接的末级功放电路，其特征在于：所述推动级功放电路采用Doherty电路结构。

2.如权利要求1所述的功率放大装置，其特征在于：所述Doherty电路结构包括功率分配子电路、与所述功率分配子电路输出端连接的一个主放大器和至少一个辅助放大器，以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。

3.如权利要求2所述的功率放大装置，其特征在于：所述主放大器和辅助放大器均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管，或，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管，所述辅助放大器采用LDMOS功放管。

4.如权利要求1所述的功率放大装置，其特征在于：所述末级功放电路采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现主功放功能，采用LDMOS功放管实现辅助功放功能。

5.一种功率放大装置的推动级功放电路，其特征在于，所述推动级电路包括：

功率分配子电路；

与所述功率分配子电路输出端连接的一个主放大器和至少一个辅助放大器；

以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。

6.如权利要求5所述的推动级功放电路，其特征在于：所述主放大器和辅助放大器均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管，或，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管，所述辅助放大器采用LDMOS功放管。

7.一种功率放大装置的功放电路，其特征在于：所述功放电路采用Doherty电路结构，采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器，采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)实现辅助(Peak)放大器。

8.如权利要求7所述的功放电路，其特征在于：所述功放电路是所述功率放大装置的推动级或末级。

9.一种功率放大装置的功放电路，其特征在于，所述功放电路包括：

功率分配子电路；

与所述功率分配子电路输出端连接的主放大器，所述主放大器采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)功放管实现；

至少一个与所述功率分配子电路输出端连接的辅助放大器，所述辅助放大器采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管实现；

以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。

10.如权利要求9所述的功放电路，其特征在于：所述功放电路是所述功率放大装置的推动级或末级。