[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种具有碳纳米管层的发光二极管。

背景技术

由氮化镓半导体材料制成的高效蓝光、绿光和白光发光二极管具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域，特别是在照明领域具有广阔的发展潜力。

传统的发光二极管通常包括N型半导体层、P型半导体层、设置在N型半导体层与P型半导体层之间的活性层、设置在P型半导体层上的P型电极(通常为透明电极)以及设置在N型半导体层上的N型电极。发光二极管处于工作状态时，在P型半导体层与N型半导体层上分别施加正、负电压，这样，存在于P型半导体层中的空穴与存在于N型半导体层中的电子在活性层中发生复合而产生光子，且光子从发光二极管中射出。

然而，现有的发光二极管光取出效率(光取出效率通常指活性层中所产生的光波从发光二极管内部释放出的效率)较低，其主要原因如下：其一，由于半导体的折射率大于空气的折射率，来自活性层的光波在半导体与空气的界面处发生全反射，从而大部分光波被限制在发光二极管的内部，直至被发光二极管内的材料完全吸收。其二，光取出效率低导致发光二极管内部产生大量的热量，又因发光二极管的结构及材料的限制，使得发光二极管内部产生的热量散发出去较困难，从而使得半导体材料的性能发生变化，降低了发光二极管的使用寿命，进而影响发光二极管的大规模应用。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一光取出效率较高且具有较长时用寿命的发光二极管。

一种发光二极管，其包括：一第一电极、一反光层、一第二半导体层、一活性层、一第一半导体层、一碳纳米管层及一第二电极。所述反光层、第二半导体层、活性层、第一半导体层、碳纳米管层及第二电极依次层叠设置在所述第一电极的表面，所述反光层与所述第一电极接触设置，其中，所述第一半导体层靠近第二电极的表面具有多个凹槽以形成一图形化表面作为发光二极管的出光面，所述碳纳米管层设置于该图形化的表面，并嵌入该多个凹槽中。

本发明提供的发光二极管由于纳米级的凹槽第一半导体层的出光面具有多个纳米级的凹槽形成一图形化表面，所述的纳米级的凹槽起了限制光线角度的作用，亦即，小角度的光线可以直接通过第一半导体层的出光面而射出，而大角度的光线入射到该表面时，因为该纳米级的凹槽而改变光子的运动方向，使之从出光面射出，或者，反射回所述的反光层再二次发反射，从而可以提高所述发光二极管的光取出率。进一步的，由于碳纳米管具有良好的导热，从而可以分散发光二极管工作过程中产生的热量导出，从而延长所述发光二极管的使用寿命。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的发光二极管的制备方法流程图。

图2为本发明第一实施例中采用的碳纳米管膜的扫描电镜照片。

图3为图2中的碳纳米管膜中的碳纳米管片段的结构示意图。

图4为本发明采用的多层交叉设置的碳纳米管膜的扫描电镜照片。

图5为本发明采用的非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图6为本发明采用的扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图7为本发明第一实施例制备的第一半导体层界面处的透射电镜照片。

图8为本发明第一实施例提供的发光二极管的制备方法制备的发光二极管的结构示意图。

图9为本发明第二实施例提供的发光二极管的制备方法流程图。

图10为本发明第二实施例提供的发光二极管的制备方法制备的发光二极管的结构示意图。

图11为本发明第三实施例提供的发光二极管的制备方法制备的发光二极管的结构示意图。

主要元件符号说明