[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括依次层叠设置的一第一电极、一反光层、一第二半导体层、一活性层、一第一半导体层、一碳纳米管层以及一第二电极，其特征在于，所述第一半导体层靠近第二电极的表面具有多个凹槽以形成一图形化表面作为发光二极管的出光面，所述碳纳米管层设置于该图形化的表面，并嵌入该多个凹槽中。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述每个凹槽内设置有一个碳纳米管或由多个碳纳米管组成的一碳纳米管束，设置在多个凹槽内的碳纳米管相互通过范德华力连接构成所述碳纳米管层。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层为一连续的自支撑结构。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管有序或无序排列。

5.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜、多个碳纳米管线状结构或其组合。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管沿着平行于碳纳米管层表面的方向延伸。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层具有多个空隙，所述第一半导体层延伸出所述多个空隙。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极与所述碳纳米管层电连接。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽形成一相互连通的网络状结构或彼此平行排列。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽的最大宽度为20纳米～200纳米。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反光层覆盖所述第二半导体层远离活性层的整个表面。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反光层的厚度为50纳米～250纳米。