[发明专利]半导体封装件、基板及其制造方法

权利要求书

1.一种基板，包括：

电性载板；

第一金属层，形成于该电性载板上，该第一金属层包括一延伸引脚，该延伸引脚具有第一上表面；以及

第二金属层，形成于该第一金属层上，该第二金属层包括一接合垫，该接合垫重叠于且接触于该延伸引脚的该第一上表面，该延伸引脚的该第一上表面的一部分露出；

其中，该接合垫的一部分突出超过该延伸引脚的一边缘。

2.如权利要求1所述的基板，其中该延伸引脚的中心与对应的该接合垫的中心错开一第一距离。

3.如权利要求1所述的基板，其中该接合垫具有第二上表面，该接合垫的该第二上表面的面积小于该延伸引脚的该第一上表面的面积。

4.如权利要求1所述的基板，其中该第一金属层还包括芯片座，该芯片座具有第一上表面；该第二金属层还包括限位部，该限位部沿着该芯片座的周边设置且具有第二上表面；

其中，该芯片座的该第一上表面的一部分露出，该限位部的该第二上表面的面积小于该对应的该芯片座的该第一上表面的面积，该限位部的一部分突出超过该芯片座的边缘。

5.如权利要求4所述的基板，其中该芯片座的中心与对应的该限位部的延伸轴错开一第二距离。

6.如权利要求4所述的基板，其中该限位部定义一限位凹部，该限位凹部露出该芯片座的该第一上表面。

7.如权利要求4所述的基板，其中该限位部是一接地环(ground ring)。

8.如权利要求1所述的基板，其中该第二金属层具有第二上表面，该基板还包括：

第一表面处理层，形成于该电性载板与该第一金属层之间；以及

第二表面处理层，形成于该第二金属层的该第二上表面。

9.如权利要求8所述的基板，其中该第一表面处理层的材质及该第二表面处理层的材质各选自于金、钯、镍、铜、锡、银及其组合所构成的群组；第一金属层的材质及该第二金属层的材质各选自于铜、锡及其组合所构成的群组。

10.如权利要求8所述的基板，其中该电性载板还包括载板凹部，该载板凹部环绕于一基板单元区的周边或环绕于呈阵列排列的多个该基板单元区的周边。

11.如权利要求1所述的基板，其中该电性载板的热膨胀系数(coefficientof thermal expansion)介于10至15ppm/℃之间，该电性载板包括内层及外披覆层，该外披覆层是铜层。

12.一种半导体封装件，包括：

第一金属层，形成于该电性载板上，该第一金属层包括一延伸引脚，该延伸引脚具有相对的第一上表面与第一下表面；

第二金属层，形成于该第一金属层上，该第二金属层包括接合垫，该接合垫重叠于且接触于该延伸引脚的该第一上表面，该延伸引脚的该第一上表面的一部分露出，其中，该接合垫的一部分突出超过该延伸引脚的一边缘；

半导体芯片，通过多个第一连接元件电连接于该接合垫；以及

包封层，包覆该第一金属层、该第二金属层及该半导体芯片，其中，该延伸引脚的该第一下表面露出。

13.如权利要求12所述的半导体封装件，其中该延伸引脚的中心与对应的该接合垫的中心错开一第一距离。

14.如权利要求12所述的半导体封装件，其中该接合垫具有第二上表面，该接合垫的该第二上表面的面积小于该延伸引脚的该第一上表面的面积。

15.如权利要求12所述的半导体封装件，其中该第一金属层还包括芯片座，该芯片座具有第一上表面；该第二金属层还包括限位部，该限位部沿着该芯片座的周边设置且具有第二上表面；

其中，该芯片座的该第一上表面的一部分露出，该限位部的该第二上表面的面积小于该对应的该芯片座的该第一上表面的面积，该限位部的一部分突出超过该芯片座的边缘。

16.如权利要求15所述的半导体封装件，其中该芯片座的中心与对应的该限位部的延伸轴错开一第二距离。

17.如权利要求15所述的半导体封装件，其中该限位部定义一限位凹部，该限位凹部露出该芯片座的该第一上表面。