[发明专利]半导体检测结构及其形成方法、检测方法

权利要求书

1.一种半导体检测结构，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底内的离子掺杂区，所述离子掺杂区包括第一区域和第二区域；

依次位于所述离子掺杂区第一区域半导体衬底表面的栅氧化层和栅极；

位于所述离子掺杂区和栅极表面的介质层；

其特征在于，还包括：

位于所述介质层表面的第一金属层；

位于所述第一金属层和介质层表面的隔离层；

位于所述隔离层表面的焊盘，所述焊盘与第一金属层利用导电结构电学连接；

位于所述离子掺杂区第二区域表面的测试结构。

2.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述测试结构包括：第一导电插塞，

所述第一导电插塞贯穿介质层且与所述离子掺杂区第二区域连通。

3.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述测试结构包括：第一导电插塞和第一测试金属层，

所述第一导电插塞贯穿介质层且与所述离子掺杂区第二区域连通，

所述第一测试金属层位于第一导电插塞和介质层表面。

4.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述测试结构包括：第一导电插塞、第一测试金属层、第四导电插塞和第二测试金属层，

所述第一导电插塞贯穿介质层且与离子掺杂区第二区域连通，

所述第一测试金属层位于第一导电插塞和介质层表面，

所述第四导电插塞贯穿隔离层且与第一测试金属层连通，

所述第二测试金属层位于第四导电插塞和隔离层表面。

5.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述测试结构包括：第五导电插塞和第二测试金属层，

所述第五导电插塞贯穿介质层和隔离层且与离子掺杂区第二区域连通，

所述第二测试金属层位于第五导电插塞和隔离层表面。

6.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述栅极与所述第一金属层边缘对应。

7.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述栅极与所述第一金属层中间对应。

8.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述隔离层为单层结构。

9.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述隔离层为多层堆叠结构。

10.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，还包括隔离结构，所述隔离结构隔离所述离子掺杂区的第一区域和第二区域。

11.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述离子掺杂区第一区域和第二区域相邻。

12.一种半导体检测结构的形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在半导体衬底内形成离子掺杂区，所述离子掺杂区包括第一区域和第二区域；

在所述离子掺杂区第一区域表面依次形成栅氧化层和栅极；

在所述栅极和离子掺杂区表面形成介质层；

在第一区域上的所述介质层表面形成第一金属层；

在所述第一金属层和介质层表面形成隔离层，在所述隔离层内形成导电结构，在所述导电结构和隔离层表面形成焊盘；

在第二区域的所述离子掺杂区表面形成测试结构。

13.如权利要求12所述半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述测试结构的形成步骤包括：

在介质层内形成贯穿其厚度的第一导电插塞，所述第一导电插塞与离子掺杂区第二区域连通。

14.如权利要求12所述半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述测试结构的形成步骤包括：

在介质层内形成贯穿其厚度的第一导电插塞，所述第一导电插塞与离子掺杂区第二区域连通；

在所述第一导电插塞和介质层表面形成第一测试金属层。

15.如权利要求12所述半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述测试结构的形成步骤包括：

在介质层内形成贯穿其厚度的第一导电插塞，所述第一导电插塞与离子掺杂区第二区域连通；

在所述第一导电插塞和介质层表面形成第一测试金属层；

在隔离层内形成第四导电插塞，所述第四导电插塞与第一测试金属层连通；

在所述第四导电插塞和隔离层表面形成第二测试金属层。