[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号: | 201110106765.X | 申请日: | 2011-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN102760822A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
| 发明(设计)人: | 许时渊;林厚德;蔡明达 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构,其包括一封装基座,所述封装基座上形成一容置杯,该容置杯底部分别暴露有第一电极及第二电极,其特征在于:所述发光二极管封装结构还包括一设置在容置杯中的封装体模组以及填充在容置杯中并覆盖该封装体模组的透明封装层,所述封装体模组包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片及包覆发光二极管芯片的荧光粉层,该基板具有第一导电层及第二导电层,该发光二极管芯片与第一导电层和第二导电层电性连接,所述第一导电层和第二导电层分别与封装基座上的第一电极及第二电极电性连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述封装基座包括顶面及底面,所述容置杯从顶面沿底面方向开设,容置杯的内表面为倾斜面,该倾斜面自顶面向底面方向延伸并向发光二极管芯片方向倾斜。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述容置杯的内表面涂敷有反光材料。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述封装体模组的基板的第一导电层和第二导电层由一绝缘层绝缘连接,所述第一导电层和第二导电层从基板的顶面延伸到基板的底面,所述第一导电层和第二导电层利用焊接或者共晶方式分别与封装基座上的第一电极及第二电极电性连接。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述封装体模组的基板的第一导电层和第二导电层相互间隔形成在一绝缘层上,所述绝缘层采用焊接或粘结方式被固定在封装基座的容置杯的底面,所述第一导电层和第二导电层分别通过金属导线与封装基座上的第一电极及第二电极连接。
6.一种发光二极管封装结构的制造方法,其包括以下几个步骤:
步骤1,提供一基板,该基板具有多个导电层;
步骤2,将多个发光二极管芯片设置在基板上,该多个发光二极管芯片分别与基板上的多个导电层电性连接;
步骤3,利用荧光粉层包覆多个发光二极管芯片;
步骤4,切割基板,形成多个封装体模组,每个封装体模组包括一发光二极管芯片及与发光二极管芯片电性连接的两个导电层;
步骤5,提供一封装基座,该封装基座上形成一容置杯,该容置杯底部分别暴露有第一电极及第二电极,将切割后的封装体模组设置在容置杯中,并且其两个导电层分别与第一电极及第二电极电性连接;
步骤6,在封装基座的容置杯中填充透明封装层,形成一发光二极管封装结构。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:该多个导电层之间通过绝缘层连接,多个导电层从基板的顶面延伸到基板的底面,切割后的封装体模组的导电层利用焊接或者共晶方式分别与封装基座的第一电极及第二电极电性连接。
8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法,所述基板包括一绝缘层,该多个导电层相互间隔地形成在该绝缘层上,切割后的封装体模组的绝缘层采用焊接或粘结方式被固定在容置杯的底面,导电层通过金属导线与封装基座上的第一电极及第二电极连接。
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