[发明专利]一种植入式医疗器械装置有效

专利信息
申请号: 201110105563.3 申请日: 2011-04-26
公开(公告)号: CN102179003A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 赵益新;李小虎 申请(专利权)人: 深圳市锘特达科技发展有限公司
主分类号: A61N1/372 分类号: A61N1/372;A61N1/36;A61F11/04;A61F2/18
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 张秋红;高瑞
地址: 518055 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 植入 医疗器械 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及医疗器械领域,尤其涉及一种植入式医疗器械装置。

背景技术

当今,植入式医疗设备种类很多,应用范围也很广,例如心脏起搏器、脑起搏器、胃起搏器、神经肌肉刺激器、电子耳蜗等。目前,应用于植入式医疗设备大多采用磁耦合方式,此方式容易在金属中产生涡流效应。而目前大多数长期植入式医疗装置为保证生物兼容性和机械强度均采用钛合金作为外壳,这就不可避免的在充电过程中产生涡流效应,这不仅会大大降低充电效率,还会引起外壳发热,损坏仪器,甚至对人体造成不同程度的烫伤。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种植入式医疗器械装置,能降低磁耦合充电时钛壳的涡流效应,从而解决涡流效应导致的效率低和发热的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种植入式医疗器械装置,包括位于体内的第一无线收发模块,及位于体外的,且用于与所述第一无线收发模块进行通信及为所述第一无线收发模块充电的第二无线收发模块,所述第一无线收发模块包括第一线圈和钛壳,所述第一无线收发模块还包括设置在第一线圈和钛壳之间的磁芯,且所述磁芯的上下表面分别与所述第一线圈和所述钛壳贴合。

在本发明所述的植入式医疗器械装置中,使用环氧树脂将所述第一线圈和所述磁芯固定在钛壳外侧。

在本发明所述的植入式医疗器械装置中,所述第一线圈为平面螺旋线圈,所述磁芯为与所述第一线圈尺寸一致的平面磁芯。

在本发明所述的植入式医疗器械装置中,所述磁芯的厚度范围为0.8-2mm。

在本发明所述的植入式医疗器械装置中,所述第一无线收发模块还包括:

电池;

整流和驱动电路,用于对所述第一线圈感应到的电压进行整流,并在不充电时驱动所述第一线圈发射无线信号,以与所述第二无线收发模块进行通信;

第一解调电路,用于对所接收的无线信号进行解调;

充电管理电路,用于根据整流后的电压为所述电池充电;

第一控制电路,用于实现充电控制及收发信号控制。

在本发明所述的植入式医疗器械装置中,所述整流和驱动电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管,其中,第一MOS管的栅极、第一MOS管源极、第二MOS管漏极和第四MOS管的栅极一并接所述第一线圈的第一端,第三MOS管的栅极、第三MOS管源极、第四MOS管漏极和第二MOS管的栅极一并接所述第一线圈的第二端,第一MOS管的漏极和第三MOS管的漏极为所述整流和驱动电路的输出端,第二MOS管的源极和第四MOS管的源极接地。

在本发明所述的植入式医疗器械装置中,所述充电管理电路为SEPIC拓扑或BUCK-BOOST拓扑的DCDC充电芯片。

在本发明所述的植入式医疗器械装置中,所述第一控制电路包括单片机、第五MOS管、第一三极管、第二三极管、第一二极管、第二二极管、第一电阻和第二电阻,其中,单片机的第一输出端通过第一电阻连接第一三极管的基极,第一三极管的发射极接地,第一三极管的集电极连接第五MOS管的栅极,第五MOS管的漏极接所述整流和驱动电路的输出端,第五MOS管的源极接所述充电芯片的输入端;单片机的第二输出端连接所述充电芯片的使能端,单片机的第二输出端还通过第二电阻连接第二三极管的基极,第二三极管的集电极连接第五MOS管的源极,第二三极管的发射极连接电池的正极,电池的负极接地,单片机的第三输出端连接第一二极管的正极,第一二极管的负极接所述第一线圈的第一端,单片机的第四输出端接第二二极管的正极,第二二极管的负极接所述第二线圈的第二端。

在本发明所述的植入式医疗器械装置中,所述第二无线收发模块包括:

第二线圈;

功率驱动电路,用于驱动所述第二线圈,实现能量向所述第一线圈的馈送;

电流检测电路,用于检测所述第二线圈的电流;

第二解调电路,用于对所接收的无线信号进行解调;

第二控制电路,用于实现收发信号控制及第一无线收发模块的充电控制。

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