[发明专利]一种植入式医疗器械装置

权利要求书

1.一种植入式医疗器械装置，包括位于体内的第一无线收发模块，及位于体外的，且用于与所述第一无线收发模块进行通信及为所述第一无线收发模块充电的第二无线收发模块，所述第一无线收发模块包括第一线圈和钛壳，其特征在于，所述第一无线收发模块还包括设置在第一线圈和钛壳之间的磁芯，且所述磁芯的上下表面分别与所述第一线圈和所述钛壳贴合。

2.根据权利要求1所述的植入式医疗器械装置，其特征在于，使用环氧树脂将所述第一线圈和所述磁芯固定在钛壳外侧。

3.根据权利要求1所述的植入式医疗器械装置，其特征在于，所述第一线圈为平面螺旋线圈，所述磁芯为与所述第一线圈尺寸一致的平面磁芯。

4.根据权利要求1所述的植入式医疗器械装置，其特征在于，所述磁芯的厚度范围为0.8-2mm。

5.根据权利要求1所述的植入式医疗器械装置，其特征在于，所述第一无线收发模块还包括：

电池；

整流和驱动电路，用于对所述第一线圈感应到的电压进行整流，并在不充电时驱动所述第一线圈发射无线信号，以与所述第二无线收发模块进行通信；

第一解调电路，用于对所接收的无线信号进行解调；

充电管理电路，用于根据整流后的电压为所述电池充电；

第一控制电路，用于实现充电控制及收发信号控制。

6.根据权利要求5所述的植入式医疗器械装置，其特征在于，所述整流和驱动电路包括第一MOS管（Q1）、第二MOS管（Q2）、第三MOS管（Q3）和第四MOS管（Q4），其中，第一MOS管（Q1）的栅极、第一MOS管（Q1）源极、第二MOS管（Q2）漏极和第四MOS管（Q4）的栅极一并接所述第一线圈的第一端，第三MOS管（Q3）的栅极、第三MOS管（Q3）源极、第四MOS管（Q4）漏极和第二MOS管（Q2）的栅极一并接所述第一线圈的第二端，第一MOS管（Q1）的漏极和第三MOS管（Q3）的漏极为所述整流和驱动电路的输出端，第二MOS管（Q2）的源极和第四MOS管（Q4）的源极接地。

7.根据权利要求6所述的植入式医疗器械装置，其特征在于，所述充电管理电路为SEPIC拓扑或BUCK-BOOST拓扑的DCDC充电芯片。

8.根据权利要求7所述的植入式医疗器械装置，其特征在于，所述第一控制电路包括单片机、第五MOS管（Q5）、第一三极管（Q6）、第二三极管（Q7）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、第一电阻（R1）和第二电阻（R2），其中，单片机的第一输出端通过第一电阻（R1）连接第一三极管（Q6）的基极，第一三极管（Q6）的发射极接地，第一三极管（Q6）的集电极连接第五MOS管（Q5）的栅极，第五MOS管（Q5）的漏极接所述整流和驱动电路的输出端，第五MOS管的源极接所述充电芯片（U1）的输入端；单片机的第二输出端连接所述充电芯片（U1）的使能端，单片机的第二输出端还通过第二电阻（R2）连接第二三极管（Q7）的基极，第二三极管（Q7）的集电极连接第五MOS管（Q5）的源极，第二三极管（Q7）的发射极连接电池的正极，电池的负极接地，单片机的第三输出端连接第一二极管（D1）的正极，第一二极管（D1）的负极接所述第一线圈的第一端，单片机的第四输出端接第二二极管（D2）的正极，第二二极管（D2）的负极接所述第二线圈的第二端。

9.根据权利要求1至8任一项所述的植入式医疗器械装置，其特征在于，所述第二无线收发模块包括：

第二线圈；

功率驱动电路，用于驱动所述第二线圈，实现能量向所述第一线圈的馈送；

电流检测电路，用于检测所述第二线圈的电流；

第二解调电路，用于对所接收的无线信号进行解调；

第二控制电路，用于实现收发信号控制及第一无线收发模块的充电控制。

10.根据权利要求9所述的植入式医疗器械装置，其特征在于, 所述功率驱动电路包括：第六MOS管（Q8）、第七MOS管（Q9）、第一扼流电感（L3）、第二扼流电感（L4）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R6）、第七电阻（R7）、第八电阻（R8）、第三二极管（D3）和第四二极管（D4），其中，第四电阻（R4）和第六电阻（R6）串联后一端连接电源端，另一端通过第八电阻（R8）接地，第七电阻（R7）和第五电阻（R5）串联后一端连接电源端，另一端通过第八电阻（R8）接地，第六MOS管（Q8）的栅极连接第四电阻（R4）和第六电阻（R6）的交汇点，第六MOS管（Q8）的源极连接第六电阻（R6）和第八电阻（R8）的交汇点，第六MOS管（Q8）的漏极通过第一扼流电感（L3）接电源端，第七MOS管（Q9）的栅极连接第七电阻（R7）和第五电阻（R5）的交汇点，第七MOS管（Q9）的源极连接第五电阻（R5）和第八电阻（R8）的交汇点，第七MOS管（Q9）的漏极通过第二扼流电感（L4）接电源端，第三二极管（D3）的正极连接第四电阻（R4）和第六电阻（R6）的交汇点，第三二极管（D3）的负极连接第七MOS管（Q9）的漏极，第四二极管（D4）的正极连接第七电阻（R7）和第五电阻（R5）的交汇点，第四二极管（D4）的负极连接第六MOS管（Q8）的漏极，第二线圈的第一端连接第七MOS管（Q9）的漏极，第二线圈的第二端连接第六MOS管（Q8）的漏极。