[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

液晶显示器中的液晶面板由阵列基板和彩膜基板对盒而成，阵列基板的典型结构是包括衬底基板，衬底基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中设置有TFT开关元件和像素电极。其中每个开关元件的结构如图1A和1B所示，具体包括栅电极3、有源层6、源电极7和漏电极8。有源层6位于栅电极3的上方，源电极7和漏电极8的端部位于有源层6的上方，且相对设置，源电极7和漏电极8之间形成沟道。当栅电极3中通入开启开关元件的高电压时，源电极7和漏电极8之间能够通过有源层6导通。

现有技术中，阵列基板上各种导电图案的构造通常采用掩膜曝光工艺进行刻蚀形成。源电极和漏电极就是采用相同的材料通过一次掩膜构图工艺制备而成的。由于掩膜构图工艺的工艺参数限制，例如受限于掩模板的图案尺寸、曝光和刻蚀的精度等因素，使得源电极和漏电极之间的沟道长度L有最小尺寸的限制。已有技术通常允许沟道长度L的最小值为4μm。然而，沟道长度决定着TFT开关元件的导通性能，沟道越长，为了确保获得相同的性能就需要相应增大TFT的尺寸，这会导致像素单元的开口率降低。因此，减小沟道长度是现有技术需要改进的问题之一。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，以减小开关元件的沟道长度。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，衬底基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中设置有开关元件，其中：

每个所述开关元件包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极的端部对置；

所述源电极或漏电极至少部分图案的上方和/或下方还形成有扩展导电部，所述扩展导电部的图案超出自身所接触的源电极或漏电极的范围，向沟道方向延伸且与有源层接触。

本发明实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，至少包括在衬底基板上形成开关元件图案的流程，所述开关元件包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，其中，在形成开关元件中源电极和漏电极的图案之前或之后，还包括：

形成导电薄膜，采用构图工艺形成包括扩展导电部的图案，所述扩展导电部对应于源电极或漏电极至少部分图案的上方和/或下方，扩展导电部的图案超出自身所接触的源电极或漏电极的范围，向沟道方向延伸且与有源层接触。

本发明实施例还提供了一种液晶显示器，包括液晶面板，其中：所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和本发明所提供的阵列基板。

本发明提供的阵列基板及其制造方法和液晶显示器，通过独立于源漏电极而额外形成的扩展导电部来缩小TFT开关元件的沟道。扩展导电部与源电极或漏电极接触，且与有源层接触，所以作为导电材料能够成为TFT开关元件中源电极或漏电极的一部分，起到导通的作用。由于扩展导电部是独立于源漏电极而形成的，所以不会受到构图工艺的参数限制，能够进一步超出所在源漏电极的范围向沟道方向延伸，减小沟道的长度。

附图说明

图1A为现有技术阵列基板的开关元件的俯视结构示意图；

图1B为图1A中沿A-A线的剖视结构示意图；

图2A为本发明实施例一提供的阵列基板中开关元件的俯视结构示意图；

图2B为图2A中沿A-A线的剖视结构示意图；

图3A为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图3B为图2A中沿B-B线的剖视结构示意图；

图4为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图5A为本发明实施例二中阵列基板制造过程中的局部俯视结构示意图一；

图5B为图5A中沿C-C线的剖视结构示意图；

图6A为本发明实施例二中阵列基板制造过程中的局部俯视结构示意图二；

图6B为图6A中沿C-C线的剖视结构示意图；

图7A为本发明实施例二中阵列基板制造过程中的局部俯视结构示意图三；

图7B为图7A中沿C-C线的剖视结构示意图；

图8A为本发明实施例二中阵列基板制造过程中的局部俯视结构示意图四；