[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，衬底基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中设置有开关元件，其特征在于：

每个所述开关元件包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极的端部对置；

所述源电极或漏电极至少部分图案的上方和/或下方还形成有扩展导电部，所述扩展导电部的图案超出自身所接触的源电极或漏电极的范围，向沟道方向延伸且与有源层接触。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述扩展导电部材料为透明导电材料或金属材料制成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述沟道的长度为2.0～3.5微米。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述源电极、漏电极、有源层和数据线形成在栅极绝缘层上，所述栅极绝缘层上还形成有像素电极或公共电极，所述扩展导电部与所述像素电极或公共电极采用相同材料同步形成。

5.一种阵列基板的制造方法，至少包括在衬底基板上形成开关元件图案的流程，所述开关元件包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，其特征在于，在形成开关元件中源电极和漏电极的图案之前或之后，还包括：

形成导电薄膜，采用构图工艺形成包括扩展导电部的图案，所述扩展导电部对应于源电极或漏电极至少部分图案的上方和/或下方，扩展导电部的图案超出自身所接触的源电极或漏电极的范围，向沟道方向延伸且与有源层接触。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述扩展导电部与阵列基板上的像素电极或公共电极同步形成，则形成导电薄膜，采用构图工艺形成包括扩展导电部的图案具体包括：

形成透明导电薄膜，采用构图工艺形成包括像素电极或公共电极的图案，且同时形成扩展导电部的图案。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述衬底基板上还形成有栅线、数据线、公共电极和像素电极，则在衬底基板上形成数据线、栅线、开关元件、像素电极和公共电极图案的流程包括：

在所述衬底基板上形成栅金属薄膜，采用构图工艺形成包括栅线和栅电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成有源层薄膜，采用构图工艺形成包括有源层的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成第一透明导电薄膜，采用构图工艺形成包括像素电极和扩展导电部的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成数据金属薄膜，采用构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成钝化层；

在所述钝化层上形成第二透明导电薄膜，采用构图工艺形成包括公共电极的图案。

8.一种液晶显示器，包括液晶面板，其特征在于：所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和权利要求1～4任一所述的阵列基板。