[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

所描述的技术总体涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

一般而言，薄膜晶体管包括栅电极、形成在栅电极上且通过栅极绝缘层与栅电极电绝缘的半导体层以及与半导体层相接触的源电极和漏电极。

当薄膜晶体管的栅极绝缘层被金属或掺杂剂污染时，可能会产生泄漏电流或截止电流(Ioff)。虽然当薄膜晶体管处于截止状态时，由于电子不会迁移到半导体层中，因而似乎不会有电流流动，但是泄漏电流意味着由于存在穿过半导体层的电子，故在截止状态下可能会有电流流动。

为了防止泄漏电流，可以在半导体层中形成栅电极与源电极和漏电极不重叠的偏移(offset)区。

然而，偏移区可能会使导通电流(Ion)减小。进一步地，当栅电极与源电极和漏电极重叠而没有形成偏移区时，可能会产生对准误差(alignmenterror)，从而可能使薄膜晶体管的特性劣化。

背景技术部分公开的以上信息仅仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此可能包含并不构成在本国已为本领域普通技术人员所公知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的实施例提供一种能够形成偏移区的薄膜晶体管及其制造方法。

根据示例性实施例的薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上的栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的与所述栅电极相对应的半导体层；覆盖所述半导体层和所述栅极绝缘层的保护层，具有使所述半导体层的部分露出的源极接触孔和漏极接触孔；和在所述保护层上的源电极和漏电极，分别通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔连接到所述半导体层，其中所述半导体层在与所述保护层的所述源极接触孔相对应的部分处具有源极偏移槽。

所述半导体层可以包括：与所述源电极相接触的源极区，与所述漏电极相接触的漏极区，和位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，其中所述源极偏移槽将所述源极区与所述沟道区隔开。

所述半导体层可以包括从非晶硅、多晶硅、氧化物半导体、微晶硅和激光晶化硅组成的组中选择的材料。

所述源极接触孔可以使所述半导体层的所述源极区和所述源极偏移槽露出。

所述源电极可以覆盖所述源极接触孔的部分，而所述漏电极可以至少覆盖所述漏极接触孔的部分。

所述源极偏移槽的宽度可以在1μm到10μm的范围之内。

所述半导体层可以进一步包括在与所述保护层的所述漏极接触孔相对应的部分处的漏极偏移槽，所述漏极偏移槽可以将所述漏极区与所述沟道区隔开，并且所述漏极接触孔可以使所述半导体层的所述漏极区和所述漏极偏移槽露出。

所述漏电极可以覆盖所述漏极接触孔的部分，并且所述漏极偏移槽的宽度可以在1μm到10μm的范围之内。

根据示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成栅电极；形成覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；形成具有源极接触孔和漏极接触孔的保护层，所述源极接触孔和所述漏极接触孔使在所述栅极绝缘层上的所述半导体层露出；在所述保护层上形成分别通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔连接到所述半导体层的源电极和漏电极；以及对通过所述源极接触孔露出的半导体层进行蚀刻以形成源极偏移槽。

所述源电极可以覆盖所述源极接触孔的部分，并且所述源极偏移槽可以将所述半导体层的源极区与沟道区隔开。

在形成所述源极偏移槽的同时，可以通过所述漏极接触孔露出的半导体层被蚀刻以形成漏极偏移槽，并且所述漏电极可以覆盖所述漏极接触孔的部分。所述漏极偏移槽可以将所述半导体层的漏极区与沟道区隔开。

根据本发明另一实施例的薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上的至少一个栅电极；覆盖所述至少一个栅电极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上与所述至少一个栅电极相对应并且彼此隔开的多个半导体层；覆盖所述多个半导体层和所述栅极绝缘层的保护层，具有使所述多个半导体层露出的多个源极接触孔和多个漏极接触孔；和在所述保护层上的多个源电极和多个漏电极，通过所述多个源极接触孔和所述多个漏极接触孔连接到所述多个半导体层，其中所述多个半导体层在与所述保护层的所述多个源极接触孔和所述多个漏极接触孔相对应的位置处分别具有多个源极偏移槽和多个漏极偏移槽。

所述多个源电极可以彼此相连接，并且所述多个漏电极可以彼此相连接。

所述至少一个栅电极可以包括通过栅极线彼此相连接的多个栅电极。