[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

基板；

在所述基板上的栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上的与所述栅电极相对应的半导体层；

覆盖所述半导体层和所述栅极绝缘层的保护层，具有使所述半导体层的部分露出的源极接触孔和漏极接触孔；和

在所述保护层上的源电极和漏电极，分别通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔连接到所述半导体层，

其中所述半导体层在与所述保护层的所述源极接触孔相对应的部分处具有源极偏移槽。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中

所述半导体层包括：

与所述源电极相接触的源极区，

与所述漏电极相接触的漏极区，和

位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，

其中所述源极偏移槽将所述源极区与所述沟道区隔开。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中

所述半导体层包括从非晶硅、多晶硅、氧化物半导体、微晶硅和激光晶化硅组成的组中选择的材料。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中

所述源极接触孔使所述半导体层的所述源极区和所述源极偏移槽露出。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中

所述源电极覆盖所述源极接触孔的部分。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中

所述漏电极至少覆盖所述漏极接触孔的部分。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中

所述源极偏移槽的宽度在1μm到10μm的范围之内。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中

所述半导体层进一步包括在与所述保护层的所述漏极接触孔相对应的部分处的漏极偏移槽。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其中

所述漏极偏移槽将所述漏极区与所述沟道区隔开。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中

所述漏极接触孔使所述半导体层的所述漏极区和所述漏极偏移槽露出。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中

所述漏电极覆盖所述漏极接触孔的部分。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中

所述漏极偏移槽的宽度在1μm到10μm的范围之内。

13.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

在基板上形成栅电极；

形成覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

形成具有源极接触孔和漏极接触孔的保护层，所述源极接触孔和所述漏极接触孔使在所述栅极绝缘层上的所述半导体层露出；

在所述保护层上形成分别通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔连接到所述半导体层的源电极和漏电极；以及

对通过所述源极接触孔露出的半导体层进行蚀刻以形成源极偏移槽。

14.如权利要求13所述的制造薄膜晶体管的方法，其中

所述源电极覆盖所述源极接触孔的部分。

15.如权利要求14所述的制造薄膜晶体管的方法，其中

所述源极偏移槽将所述半导体层的源极区与沟道区隔开。

16.如权利要求15所述的制造薄膜晶体管的方法，其中

在形成所述源极偏移槽的同时，通过所述漏极接触孔露出的半导体层被蚀刻以形成漏极偏移槽。

17.如权利要求16所述的制造薄膜晶体管的方法，其中

所述漏电极覆盖所述漏极接触孔的部分。

18.如权利要求17所述的制造薄膜晶体管的方法，其中

所述漏极偏移槽将所述半导体层的漏极区与沟道区隔开。