[发明专利]电子熔丝状态读取装置有效
| 申请号： | 201110096908.3 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102749575A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 潘少辉;胡胜发 | 申请（专利权）人： | 安凯（广州）微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/327 | 分类号： | G01R31/327 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵景平;逯长明 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 丝状 读取 装置 | ||
1.一种电子熔丝状态读取装置，其特征在于，包括：
电子熔丝读取电流控制模块，用于提供电流；
电流镜，用于将所述电子熔丝读取电流控制模块提供的电流镜像到所述电子熔丝所在支路；
逻辑判断模块，用于将所述电子熔丝在熔断前后电阻的变化转化为数字逻辑电平；
状态锁存处理模块，用于缓存所述逻辑判断模块输出的数字逻辑电平，以使用户根据所述数字逻辑电平确定所述电子熔丝的状态。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述逻辑判断模块包括：串联连接的第一非门和第二非门。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电流镜为由两个NMOS管组成的电流镜，所述电子熔丝一端连接供电电源，另一端分别与所述电流镜的输出以及所述逻辑判断模块的输入相连；
所述第一非门在所述逻辑判断模块的输入电平下降到大于0V的第一预设值后，输出高电平。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一预设值为第一非门的阈值电压。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一非门为高阈值非门，其阈值电压大于0.5*VCC，并且小于VCC，其中，所述VCC为所述高阈值非门的电源电压。
6.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电流镜为由两个PMOS管组成的电流镜，所述电子熔丝一端接地，另一端分别与所述电流镜的输出以及所述逻辑判断模块的输入相连；
所述第一非门在所述逻辑判断模块的输入电平上升到小于供电电源电压的第二预设值后，输出低电平。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二预设值为第一非门的阈值电压。
8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一非门为低阈值非门，其阈值电压大于0，并且小于0.5*VCC，其中，所述VCC为所述高阈值非门的电源电压。
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