[发明专利]镀膜件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110096490.6 申请日: 2011-04-18
公开(公告)号: CN102747321A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种镀膜件及该镀膜件的制备方法,特别涉及一种具有疏水效果的镀膜件及该镀膜件的制备方法。

背景技术

浸润性是固体表面的重要性质之一。疏水表面是指固体表面与水的接触角大于90°的表面。近年来,疏水表面在日常生活和工业领域有着越来越重要的应用价值。目前应用较多的主要为在固体表面涂覆表面能低的有机疏水层,其中该类有机疏水层以含氟和/或硅的高分子材料居多;但有机疏水材料通常具有硬度低、不耐磨、耐热温度低等缺点。

发明内容

鉴于此,有必要提供一种有效解决上述问题的镀膜件。

另外,还有必要提供一种上述镀膜件的制备方法。

一种镀膜件,其包括基体及形成于基体表面的疏水层,该疏水层为非晶态的硼-碳-氮层。

一种镀膜件的制备方法,其包括如下步骤:

提供一基体;

采用真空镀膜的方式,以氮化硼靶为靶材,以乙炔为反应气体,在基体表面溅镀疏水层,该疏水层为非晶态的硼-碳-氮层。

本发明所述镀膜件在基体的表面沉积疏水层,该疏水层与水的接触角达到102~110°,具有良好的疏水性。同时该疏水层为非晶态的硼-碳-氮层,具有化学性质稳定、耐高温、硬度高、耐磨和耐腐蚀等优点,可有效保护基体,相应地延长了镀膜件的使用寿命。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图;

图2为本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。

主要元件符号说明

镀膜件            10

基体              11

疏水层            13

真空镀膜机        20

镀膜室            21

氮化硼靶          23

轨迹              25

真空泵            30

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1,本发明一较佳实施方式镀膜件10包括基体11、及形成于基体11表面的疏水层13。该基体11的材质可为非金属或金属,该非金属可为陶瓷或玻璃,该金属可为不锈钢、铝或铝合金等。

该疏水层13为非晶态的硼-碳-氮(B-C-N)层。该疏水层13可以磁控溅射的方式形成于所述基体11上,其厚度可为250~500nm。该疏水层13具有相对较低的表面能,且其与水的接触角可达102~110°。

本发明一较佳实施方式的镀膜件10的制备方法,其包括以下步骤:

提供基体11,该基体11的材质可为非金属或金属,该非金属可为陶瓷或玻璃,该金属可为不锈钢、铝或铝合金等。

将基体11放入无水乙醇中进行超声波清洗,以去除基体11表面的污渍,清洗时间可为30~50min。

对经上述处理后的基体11的表面进行氩气等离子体清洗,以进一步去除基体11表面的油污,以及改善基体11表面与后续镀层的结合力。结合参阅图2,提供一真空镀膜机20,该真空镀膜机20包括一镀膜室21及连接于镀膜室21的一真空泵30,真空泵30用以对镀膜室21抽真空。该镀膜室21内设有转架(未图示)和相对设置的二氮化硼靶23。转架带动基体11沿圆形的轨迹25公转,且基体11在沿轨迹25公转时亦自转。

该等离子体清洗的具体操作及工艺参数可为:将基体11固定于真空镀膜机20的镀膜室21中的转架上,将该镀膜室21抽真空至3.0×10-5Torr,然后向镀膜室21内通入流量约为500sccm(标准状态毫升/分钟)的氩气(纯度为99.999%),并施加-200~-500V的偏压于基体11,对基体11的表面进行氩气等离子体清洗,清洗时间为3~10min。

采用磁控溅射法在经氩气等离子体清洗后的基体11上溅镀一疏水层13。该疏水层13为非晶态的B-C-N层。溅镀该疏水层13在所述真空镀膜机20中进行。开启氮化硼靶23,并设定氮化硼靶23的功率为0.2~1kw,以乙炔为反应气体,乙炔流量可为300~500s ccm,以氩气为工作气体,氩气流量可为300~500sccm。溅镀时对基体11施加-50~-300V的偏压,并加热所述镀膜室21至温度为150~420,镀膜时间可为20~60min。该疏水层13的厚度可为200~500nm。

下面通过实施例来对本发明进行具体说明。

实施例1

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