[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110096490.6 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102747321A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种镀膜件，其包括基体及形成于基体表面的疏水层，其特征在于：该疏水层为非晶态的硼-碳-氮层。
2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体的材质为金属或非金属。
3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述疏水层的厚度为250～500nm。
4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述疏水层与水的接触角为102～110°。
5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述疏水层通过磁控溅射的方式形成。
6.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：
提供一基体；
采用磁控溅射法，以氮化硼靶为靶材，以乙炔为反应气体，在基体表面溅镀疏水层，该疏水层为非晶态的硼-碳-氮层。
7.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述溅镀疏水层的具体工艺参数为：所述氮化硼靶的功率为0.2～1kw，乙炔的流量为300～500sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为300～500sccm，基体偏压为-50～-300V，基体的温度为150～420℃，镀膜时间为20～60min。
8.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述基体的材质为金属或非金属。
9.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述疏水层的厚度为250～500nm。
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