[发明专利]大功率半导体开关中偏压晶体管开关的系统和方法

权利要求书

1.一种在大功率半导体开关中偏压晶体管开关的方法，其特征在于所述方法的特征在于：

对所述晶体管开关中一第一晶体管开关提供一开启状态电压电平的开启状态电压，以将所述第一晶体管开关偏压于一开启状态；以及

对所述晶体管开关中一第二晶体管开关提供一关闭状态电压电平的关闭状态电压，以将所述第二晶体管开关偏压于一关闭状态，其中所述关闭状态电压电平的大小是仅比该开启状态电压电平的大小少一足以达成以下至少一种情况的量：

使受到偏压至所述关闭状态的第二晶体管开关的杂散谐波发射低于一可接受的第二晶体管开关关闭状态杂散谐波发射预设上限；以及

使该大功率开关的线性高于一可接受的大功率开关线性预设下限。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，进一步包含：鉴别该可接受的第二晶体管开关关闭状态杂散谐波发射预设上限和该可接受的大功率开关线性预设下限其中至少其一。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，该开启状态电压电平是在所述晶体管开关的可靠性和操作限制范围内栅极与源极或漏极之间的一最大可能差值。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述关闭状态电压电平是所述开启状态电压电平的一固定部份。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述晶体管开关是硅绝缘FET开关，其中所述开启状态电压电平是介于2.0V和2.5V之间，且其中所述关闭状态电压电平是介于1.1V和1.5V之间。

6.根据权利要求4的方法，其特征在于，提供该开启状态电压的动作包含在以处于一高系统控制电压的一固定一次偏压部分的一开启状态栅极电压对所述第一晶体管开关的一栅极进行偏压，且以处于一低系统控制电压的一固定二次偏压部分的开启状态源极-漏极电压对所述第一晶体管开关的一源极-漏极进行偏压，且其中提供关闭状态电压的动作包含以处于该低系统控制电压的该固定一次偏压部分的关闭状态栅极电压对所述第二晶体管开关的一栅极进行偏压，且以处于该高系统控制电压的该固定二次偏压部分的一关闭状态源极-漏极电压对所述第二晶体管开关的一源极-漏极进行偏压。

7.根据权利要求6的方法，其特征在于，所述高和低系统控制电压的该固定一次偏压部分和该固定二次偏压部分是分别通过分压该高和低系统控制电压所产生的。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于，该大功率开关包含一天线、一第一输入/输出端，以及一第二输入/输出端，其中所述第一晶体管开关是位于一条从该天线到该第一输入/输出端的第一信号路径上，且所述第二晶体管开关是位于一条从该天线到该该第二输入/输出端的第二信号路径上，其中所述对所述第一晶体管开关提供该开启状态电压的步骤提供一条在该天线与该第一输入/输出端之间的通讯路径，而所述对所述第二晶体管开关提供所述关闭状态电压的步骤将该天线和该第一输入/输出端与该第二输入/输出端隔绝。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于，进一步包含：

对所述第二晶体管开关提供开启状态电压电平的开启状态电压，以将所述第二晶体管开关偏压于一开启状态；以及

对所述第一晶体管开关提供关闭状态电压电平的关闭状态电压，以将所述第一晶体管开关偏压于一关闭状态，

其中所述对所述第二晶体管开关提供该开启状态电压的步骤提供一条在该天线与该第二输入/输出端之间的通讯路径，而所述对所述第一晶体管开关提供所述关闭状态电压的步骤将该天线和该第二输入/输出端与该第一输入/输出端隔绝。

10.根据权利要求1的方法，其特征在于，该大功率开关包含一天线、一第一输入/输出端，以及一第一接地线，其中所述第一晶体管开关是位于一条从该第一输入/输出端到该天线的信号路径上，且所述第二晶体管开关是位于一条从该第一输入/输出端到该第一接地线的分流电路上，其中所述提供开启状态电压的步骤提供一条在该第一输入/输出端与该天线之间的通讯路径，而所述提供关闭状态电压的步骤将该天线和该第一输入/输出端与该第一接地线隔绝。