[发明专利]一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法无效
| 申请号: | 201110093629.1 | 申请日: | 2011-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN102184854A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
| 发明(设计)人: | 李泽宏;张超;杨文韬;单亚东;肖璇;吴宽 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L21/331 | 分类号: | H01L21/331;H01L21/324 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率 器件 背面 退火 正面 金属 图形 保护 方法 | ||
1.一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法,在完成功率器件正面制作工艺之后,先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂,有机硅树脂经预热固化之后,再进行功率器件背面制作工艺,待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。
2.根据权利要求1所述的功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法,其特征是,所述功率器件背面制作工艺包括背面减薄、背面杂质离子注入、背面杂质离子高温热退火和淀积背面金属步骤。
3.根据权利要求2所述的功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法,其特征是,所述背面杂质离子高温热退火为高温快速热退火或者高温炉退火。
4.根据权利要求3所述的功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法,其特征是,所述高温快速热退火的退火温度为900~1100℃、退火时间为5~60秒。
5.根据权利要求3所述的功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法,其特征是,所述高温炉退火的退火温度为800~1000℃、退火时间为20~40分钟。
6.根据权利要求1所述的功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法,其特征是,所述有机硅树脂为美国Tempil公司生产的Pyromark2500,所述能够溶解有机硅树脂的有机溶剂为甲苯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





